ST計劃為Dresden代工廠導(dǎo)入28nm FDSOI制程

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆矽( FDSOI ) 制程技術(shù)的相關(guān)細節(jié)，期望于2013年第四季在Globalfoundries于德國德勒斯登(Dresden)的Fab 1 代工廠實現(xiàn)量產(chǎn)。
ST宣稱，在相同的功耗條件下，其28nm FDSOI 制程比28nm CMOS 制程所能實現(xiàn)的性能能更高30%以上，或者在相同的性能時，其28nm可節(jié)省更高達50%的動態(tài)功耗。這是因為FDSOI制程可讓電壓降低到0.6V，而CMOS只能降低至0.9V，ST前段制程部門執(zhí)行副總裁Joel Hartmann解釋。
Hartmann說，業(yè)界多家公司采用了由SOI聯(lián)盟提供的28nm FDSOI 實體設(shè)計套件。然而，他們還希望能夠確保這一制程性能提升以符合其需求，因而必須展開與Globalfoundries的進一步合作。
「我們已經(jīng)與Globalfoundries之間建立一項合作備忘錄(MoU)了，現(xiàn)在我們正洽談合作細節(jié)，」Hartmann表示。Globalfoundries已在2012年6月與ST以及其它客戶簽署了FDSOI 晶片代工合約。ST先前已在其于法國Crolles的晶圓廠導(dǎo)入28nm FDSOI 制程。
為了補充法國Crolles廠的產(chǎn)能，Hartmann說，Globalfoundries將在其于德國Dresden Fab 1廠導(dǎo)入這項FDSOI 制程，目前該廠進行的是32/28nm CMOS 制造。「如果我們在這個月或從二月開始的話，Globalfoundries可望在2013年第四季開始量產(chǎn)FDSOI ，」Hartmann說。
Hartmann坦承，SOI晶片的原始晶片成本大約是標準矽晶的兩到三倍。但FDSOI制程更簡單，因而更能節(jié)省成本以及提高良率，他說，「FDSOI制程成本比CMOS更便宜10-12%，這將使我們能夠在大量制造時完全彌補SOI基底的額外成本，」 Hartmann說。
ST子公司ST-Ericsson推出的一款LTE modem-應(yīng)用處理器── L8580 ，采用28nm FDSOI 制造，預(yù)計將在今年第一季出樣。Altera公司一位資深工程師針對FDSOI 進行評估FDSOI 表示，該技術(shù)還能為FPGA 帶來特別的好處。「在ST內(nèi)部，我們也期望應(yīng)用該新制程于功耗格外重要的消費電子領(lǐng)域，」Hartmann說。不過，他并未透露ST的哪些產(chǎn)品或產(chǎn)品線將會轉(zhuǎn)移至FDSOI制程制造。