TSMC展望7nm工藝:450mm晶圓+極紫外光刻

時間：2012-10-29 06:36:00

關鍵字：光刻晶圓紫外光 TSMC

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[導讀]【IT168 應用】臺積電近日對“遙遠”未來的半導體技術進行了展望，再次強調了450毫米大尺寸晶圓、極紫外(EUV)光刻技術的重要性，聲稱7nm工藝絕對離不開它們，甚至10nm的時候就需要。臺積電CEO兼董事長張忠謀指出

【IT168 應用】臺積電近日對“遙遠”未來的半導體技術進行了展望，再次強調了450毫米大尺寸晶圓、極紫外(EUV)光刻技術的重要性，聲稱7nm工藝絕對離不開它們，甚至10nm的時候就需要。

臺積電CEO兼董事長張忠謀指出：“極紫外光刻和450毫米(晶圓)對我們的10nm以及更高級工藝來說是非常必要的……在我看來，即便10nm不一定需要，極紫外也是經濟地實現(xiàn)7nm的必由之路。就算在10nm階段，如果能有高產出量的極紫外，成本也會大大降低。當然了，我們可以使用雙重、三重乃至是四重圖案曝光，但這哦能免則免。這取決于(荷蘭ASML)高產量極紫外?！?br>
目前，ASML的六臺預產型NXE:3100極紫外光刻系統(tǒng)每小時能產出最多7塊晶圓，使用的是11W光源。今年夏天，ASML、Cymer(已被前者收購)已經聯(lián)合取得了重大突破，在實驗室內證明如果換成30W光源，NXE:3300B系統(tǒng)每小時能產出18塊晶圓。ASML的最終目標依然是105W光源、69塊晶圓每小時，并希望能在2014年實現(xiàn)投產。

根據(jù)路線圖，臺積電將在2016-2017年試產450毫米晶圓，然后2018年開始商業(yè)性量產。具體搭配的工藝節(jié)點沒有明示，按時間算應該是成熟的10nm，或者初期的7nm。

張忠謀強調說：“450毫米(晶圓)將是降低成本的又一助推。我覺得450毫米(晶圓)會在7nm工藝上引入，也可能更早。Intel的計劃應該是10nm，但我的感覺更傾向于7nm?！?br>

臺積電

張忠謀還透露，臺積電最近已經在臺灣春安買下了一塊14萬平方米的地皮，距離新竹科技園大約20分鐘車程，將用來建造一個特殊的研發(fā)中心，試驗450毫米晶圓和7nm工藝。