緊咬臺積電不放 格羅方德后年量產(chǎn)14nm
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GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示,隨著行動(dòng)裝置功能日益豐富,消費(fèi)者對于電池使用壽命的要求亦日趨嚴(yán)苛,促使半導(dǎo)體制程技術(shù)須持續(xù)向上精進(jìn),以利優(yōu)化系統(tǒng)單晶片(SoC )的效能。為實(shí)現(xiàn)此一愿景,在新一代14nm制程技術(shù)中采用3D FinFET架構(gòu),可將電流泄漏減到最低,延長電池使用壽命。 GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen指出,3D FinFET架構(gòu)具有低功耗優(yōu)勢,將成為下一波半導(dǎo)體制造的主流技術(shù)。
Noonen進(jìn)一步指出,相較于現(xiàn)今2D平面式電晶體,3D FinFET藉由將導(dǎo)電通路設(shè)計(jì)于兩側(cè),形成可控制電流流動(dòng)的閘極環(huán)繞的3D鰭狀架構(gòu),可為行動(dòng)裝置提升40~60%電池使用壽命,再加上14nm制程技術(shù)的助力,即可輕松解決行動(dòng)裝置電池電力消耗過快的棘手挑戰(zhàn)。
有鑒于此,GLOBALFOUNDRIES下一代制程技術(shù)--14nm-XM即采用3D FinFET架構(gòu),并可運(yùn)用該公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM制程技術(shù)的矽智財(cái)(IP),讓想利用FinFET SoC優(yōu)勢的IC設(shè)計(jì)商能以最快的速度從20nm無縫轉(zhuǎn)移至14nm。
據(jù)了解,目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開14nm-XM技術(shù)研發(fā)工作,除開始提供制程設(shè)計(jì)套件(PDK)外,矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進(jìn)行測試中,明年將可進(jìn)行投片試產(chǎn),后年則進(jìn)入量產(chǎn)階段,成為??各大晶圓代工廠中,率先于14nm量產(chǎn)時(shí)程競賽中達(dá)陣的業(yè)者。
不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代制程技術(shù)中采用3D FinFET,臺積電因應(yīng)未來市場需求,亦于日前變動(dòng)技術(shù)藍(lán)圖,將原本下一代14奈米制程改成較符合客戶需求的16奈米制程,而此一16奈米制程也將首度導(dǎo)入3D FinFET電晶體制程,預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間為2015年。
另一方面,GLOBALFOUNDRIES在28奈米產(chǎn)品線的業(yè)務(wù)拓展亦大有斬獲。Noonen透露,目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國際IC設(shè)計(jì)大廠的訂單,且28nm產(chǎn)能利用率正快速攀升中,現(xiàn)階段月產(chǎn)量可達(dá)六~八萬片,連同32nm在內(nèi),每月總共可提供近三十萬片產(chǎn)量,足以滿足客戶的需求。
盡管GLOBALFOUNDRIES在先進(jìn)制程的量產(chǎn)腳步不斷加快,但相較于臺積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等競爭對手紛紛入股艾司摩爾(ASML),以布局未來18寸晶圓商機(jī),GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對此指出,18寸晶圓是否符合未來半導(dǎo)體制造成本仍是未定之?dāng)?shù),GLOBALFOUNDRIES會(huì)藉由尋求合作機(jī)會(huì)進(jìn)行仔細(xì)評估,并且持續(xù)密切關(guān)注產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)與市場需求。