3D FinFET電晶體 大幅減低電流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架構(gòu)

針對(duì)行動(dòng)裝置市場(chǎng)，提供更細(xì)小的面積空間以及減低所需功耗，讓行動(dòng)裝置體積得以減少，以及延長(zhǎng)電池續(xù)航行力，半導(dǎo)體廠商 GlobalFoundries 日前宣布將采用 14nm-XM 制程架構(gòu)，并首次引入 3D FinFET 電晶體，為立體 (SoC) 晶片設(shè)計(jì)，預(yù)期將于 2014 年正式量產(chǎn)。

14nm-XM 制程架構(gòu)中的 XM 代表「極端流動(dòng)性」，結(jié)合了 20nmLPM 和 14nm FinFET ，透過(guò)開(kāi)發(fā)已在進(jìn)行中的 20nmLPM 技術(shù)，利用較成熟的 20nm-LPM 平穩(wěn)地遷移到 FinFET 技術(shù)中。

據(jù) GlobalFoundries 表示， FinFET 的架構(gòu)需要傳統(tǒng) 3D 晶體管的設(shè)計(jì)，以及轉(zhuǎn)動(dòng)在其一側(cè)的導(dǎo)電通道，進(jìn)而達(dá)致在一個(gè) 3D 的結(jié)構(gòu)所包圍的柵極，用于控制電流的流動(dòng)，透過(guò) 3D 晶體管減低電流流失，令行動(dòng)裝置電池壽命更長(zhǎng)久。

同時(shí)， GlobalFoundries 亦進(jìn)一步指出，透過(guò) 14nm-XM 制程架構(gòu)對(duì)功耗的優(yōu)化，能夠比 20nm 2D 電晶體技術(shù)改善 40-60 ％的電池續(xù)航力表現(xiàn)，而且在相同電壓下可提升 20-55% 效能表現(xiàn)，利用 14NM-XM 架構(gòu)的性能和功耗之間取得理想的平衡，同時(shí)盡量減少晶片尺寸和成本。

此外， GLOBALFOUNDRIES 針對(duì)在 FinFET 加工技術(shù)上，宣布與 ARM 達(dá)成合作考議，共為 ARM 處理器提供優(yōu)化的 SoC 方案，將共同優(yōu)化 ARM Cortex-A 系列處理器，并推動(dòng)生產(chǎn) IP 平臺(tái)，以促進(jìn)快速遷移到 3D FinFET 晶體管技術(shù)。