先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開火

劉德音指出，臺(tái)積電已擬定一套完整作戰(zhàn)計(jì)畫，強(qiáng)攻20奈米以下先進(jìn)制程，并規(guī)畫旗下超大晶圓(GIGAFAB)12和14廠全力沖刺20、16及10奈米晶圓產(chǎn)能。目前，基于高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)的20奈米制程正展開試產(chǎn)，并??將于今年底前展示具體市場(chǎng)成果；下一階段則將在2013年部署FinFET 16奈米制程，并于2014年商用量產(chǎn)。

至于10奈米方面，臺(tái)積電亦選定FinFET技術(shù)做為基石，并將導(dǎo)入極紫外光(EUV)混搭雙重曝光(Double Patterning)的生產(chǎn)模式，同時(shí)擷取兩種制程優(yōu)勢(shì)，加速晶圓產(chǎn)出時(shí)程和降低開銷。

臺(tái)積電研發(fā)副總林本堅(jiān)分析，晶圓代工業(yè)者原先規(guī)畫在20奈米世代就引進(jìn)EUV微影制程；然而，EUV生產(chǎn)成本驚人且相關(guān)設(shè)備至今難產(chǎn)，遂導(dǎo)致制程技術(shù)發(fā)展延宕。預(yù)計(jì)在2015年步入10奈米世代后，才會(huì)突顯出EUV技術(shù)的必要性。

值得一提的是，臺(tái)積電綜合制造成本與客戶需求考量，同一片10奈米晶圓部分制程仍將沿用雙重曝光方式。林本堅(jiān)指出，雖然EUV僅須曝光一次，生產(chǎn)效率高，但機(jī)臺(tái)昂貴將加重生產(chǎn)成本；因此，在不同的光罩層搭配雙重曝光技術(shù)，方能改善成本結(jié)構(gòu)加速商用。

至于10奈米以下制程，林本堅(jiān)認(rèn)為，屆時(shí)EUV技術(shù)將更臻成熟，成本也大有改進(jìn)，更適合用來(lái)提升10奈米以下晶圓生產(chǎn)效率。不過，到時(shí)候多重電子束(Multi E-Beam)也可望突破技術(shù)桎梏，成為晶圓代工業(yè)者另一個(gè)選擇；臺(tái)積電將密切觀察兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展，并審慎評(píng)估生產(chǎn)效益，擇其一切入7奈米制程研發(fā)。

在此同時(shí)，臺(tái)積電亦揭橥2013～2018年18吋晶圓發(fā)展的階段性目標(biāo)。臺(tái)積電十二吋廠營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理王建光透露，該公司最快將于2013～2014年推出18吋晶圓樣品制造工具，隨后于2015年提供測(cè)試設(shè)備(Demo Tool)；整段18吋晶圓產(chǎn)線則預(yù)定在2016～2017年完成，并于2018年正式啟動(dòng)量產(chǎn)。

顯而易見，臺(tái)積電今年積極參與G450C聯(lián)合組織(Global 450 Consortium)，并大灑銀彈入股半導(dǎo)體設(shè)備大廠--艾司摩爾(ASML)，分頭從18吋晶圓制程標(biāo)準(zhǔn)、機(jī)臺(tái)研發(fā)方向著手，成效已逐漸浮現(xiàn)。

王建光強(qiáng)調(diào)，除與國(guó)際大廠協(xié)商18吋晶圓發(fā)展共識(shí)外，臺(tái)積電也戮力拉攏臺(tái)灣半導(dǎo)體材料、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)與封測(cè)服務(wù)供應(yīng)商，開發(fā)一套獨(dú)特18吋晶圓制作模式，實(shí)現(xiàn)差異化布局。2018年后，F(xiàn)inFET 10奈米將以18吋晶圓形式產(chǎn)出，大幅縮減晶片成本與功耗；同時(shí)降低晶圓制作過程中的水、電營(yíng)運(yùn)開支，進(jìn)一步強(qiáng)化臺(tái)積電的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。