Globalfoundries:20nm后以技術取勝

“High-k/金屬閘極已經很復雜了，但FinFET更加復雜，”Kengeri說。以一顆20奈米晶片為例，FinFET在超低壓時表現仍然很好，但在平面制程，功耗表現非常差。所以，“若稍微提升電壓，效能會更好，但這在平面制程上是做不到的?！?/font>

至今，我們仍聽到28nm有許多問題無法解決，Kengeri說。

Kengeri指出，未來在晶圓代工領域，推動成長的關鍵在于行動裝置所需要的技術，包括長電池壽命，多功能整合，以及低成本。“當結合這些優(yōu)勢，我們就能繼續(xù)專注在行動市場。我們已經為行動產業(yè)中最重要的處理器和繪圖單元定義了最佳化技術，這就是我們?yōu)榭蛻糇龅?，我們通常與客戶花費一年半到兩年的時間來合作開發(fā)，并確保能長期穩(wěn)定供貨?！?/font>

他接著指出，High-k/金屬閘極是非常挑戰(zhàn)性的技術，很不容易用在制程上，但Globalfoundries已經克服了很多晶圓廠正在面臨的問題。如稍早前AMD發(fā)表的新系列APU，就是使用該公司的high-K/金屬閘極技術。

Globalfoundries從32奈米開始使用high-k/金屬閘極技術，據Kengeri表示，到28奈米時，已經有90幾款設計開始出貨了。

而在28nm以后，Kengeri表示，Globalfoundries的20nm策略仍舊是針對行動應用最佳化，而且會開始使用第三代HIGH-K金屬閘極技術。

Globalfoundries在20nm以下節(jié)點的技術策略。

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而在14nm及以下制程，Kengeri提出了四個關鍵技術：FinFET、超紫外光(EUV)微影技術、450mm晶圓，以及矽穿孔(TSV)技術。

FinFET是達到省電，節(jié)能和低電壓的關鍵；而EUV則是實現先進制程節(jié)點量產的問鍵。但Kengeri強調，今天的EUV離量產規(guī)模還很遠。“至少EUV要達到每小時100片晶圓的吞吐量才行。目前仍不得而知會在14或10奈米開始使用，因為目前使用EUV的成本非常高昂，而且吞吐量大約只在每小時5片左右?！?/font>

Kengeri特別強調了該公司未來在FinFET方面的優(yōu)勢。“如果你去檢視FinFET的業(yè)界專利，你會發(fā)現，有76%的專利，是掌握在GF，IBM和三星的聯盟平臺手中，其他對手僅占24%?！?/font>

而當被問及20nm以后制程會采用gate-first或是gate-last時，他僅透露：“14nm我們已經知道要用gate-first或是last了，只是現在還沒公布。我們的客戶并不在乎用的是哪一種技術，重點只在能不能量產而已?！?/font>

Kengeri承認EUV的一再延宕確實為晶片產業(yè)的進展帶來影響。他表示，該公司也同時關注光學193nm以及定向自組裝(DSA)等技術，而且也將為目前使用光學技術的客戶們提供未來順利過渡到EUV的升級途徑，以進一步協助客戶降低成本。

2012第一季，Globalfoundries有83%的營收來自美國。這是該公司目前仍將生產重心放在北美的主因。預估到2013年，該公司全球總產能可達每月二十萬片規(guī)模。

Globalfoundries技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri