宜特突破IC電路除錯(cuò)技術(shù)　實(shí)現(xiàn)28奈米最小線寬修改

宜特科技(Innovative Service Technology；IST)宣布，該公司從2010年開(kāi)始布局的28奈米IC電路與除錯(cuò)技術(shù)已于近日突破技術(shù)門(mén)檻，不僅能為客戶實(shí)現(xiàn)難度極高的28奈米最小線寬修改，并使其電路除錯(cuò)能力更深入至IC最底層(Metal 1)。
看好28奈米制程可帶來(lái)更高效能、低功耗以及尺寸更輕薄短小的IC產(chǎn)品，業(yè)界大廠業(yè)界大廠紛紛導(dǎo)入。臺(tái)積電在2011底率先量產(chǎn)28奈米制程產(chǎn)品，并預(yù)估今年28奈米制程產(chǎn)品將達(dá)到整體營(yíng)收的10%。聯(lián)電近期也傳出接獲數(shù)間大廠的28奈米訂單，進(jìn)入試產(chǎn)階段。緊追在后的三星電子及格羅方德(Global foundries)，也各自有其在先進(jìn)制程上的布局。

不過(guò)，28奈米制程亦有技術(shù)上的挑戰(zhàn)。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經(jīng)理崔革文表示，28奈米在設(shè)計(jì)與布局上的復(fù)雜度大幅升高，并且很難有一套通用的可制造性設(shè)計(jì)(DFM)模型來(lái)確保設(shè)計(jì)與布局的正確性，將導(dǎo)致IC設(shè)計(jì)業(yè)者須進(jìn)行更為頻繁的光罩改版，增加時(shí)間成本與金錢(qián)成本的負(fù)擔(dān)，一套28奈米光罩要價(jià)近2億臺(tái)幣，是40奈米的好幾倍，往來(lái)重新下光罩亦需一個(gè)多月。因此，許多業(yè)者采 FIB (Focused ion beam，聚焦離子束)線路修改技術(shù)，藉此省去光罩改版的時(shí)間與金錢(qián)成本。

宜特科技從2010年起展開(kāi)28奈米IC線路修改的研究與布局，針對(duì)最底層(Metal 1)的極小線路作修改測(cè)試，并從極小間距中，研究如何設(shè)定正確參數(shù)將訊號(hào)引出，還可利用獨(dú)有的低阻值連線技術(shù)(宜特已有中華民國(guó)專(zhuān)利)，克服過(guò)大阻值易造成高頻訊號(hào)的延遲與失真，目前在各個(gè)環(huán)節(jié)上均已完成驗(yàn)證，技術(shù)能量已可滿足目前所有先進(jìn)制程產(chǎn)品的除錯(cuò)與驗(yàn)證需求。

除了擁有技術(shù)外，宜特也在這兩年建造完成國(guó)內(nèi)唯一同時(shí)擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實(shí)驗(yàn)室，除了一般的 Front-side FIB 技術(shù)外，亦可支援 Back-side FIB 線路修改技術(shù)。

Back-side FIB是從IC晶片的背面(即矽基材端)來(lái)進(jìn)行線路修改，該相關(guān)技術(shù)近年來(lái)受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數(shù)都特別高的28奈米制程上，由于需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式，宜特預(yù)期使用 Back-side FIB 線路修改將成為未來(lái)主流。