制程縮微趨勢(shì)夯 漢微科電子束檢測(cè)持續(xù)成長(zhǎng)
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漢微科成立于2003年,看準(zhǔn)晶圓制程縮微趨勢(shì)方興未艾,傳統(tǒng)的光學(xué)(可見(jiàn)光與不可見(jiàn)光)檢測(cè)設(shè)備將不敷制程持續(xù)縮微化的晶圓廠所需,因此從成立以來(lái)即鎖定電子束檢測(cè)技術(shù)持續(xù)開(kāi)發(fā),在2004年透過(guò)并購(gòu)美商Hermes Micronvision Inc.取得核心技術(shù),并在同年開(kāi)發(fā)、售出第一臺(tái)自制的電子束檢測(cè)設(shè)備,打破過(guò)去由美、日大廠壟斷的電子束檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)。
隨著晶圓廠大力推動(dòng)將制程縮微到45奈米以下的階段,傳統(tǒng)檢測(cè)設(shè)備所采用的可見(jiàn)光、紫外光(UV)、深紫外光(DUV)技術(shù),受限于物理限制,將無(wú)法因應(yīng)晶圓內(nèi)部孔隙缺陷(via defect)檢測(cè)所需,因此精度更高的電子束檢測(cè)技術(shù),就成為下一個(gè)世代的晶圓檢測(cè)設(shè)備技術(shù)趨勢(shì)所在。
電子束檢測(cè)技術(shù),乃是透過(guò)電子束激發(fā)晶圓表面電子,并以電子偵測(cè)器搜集資訊、制作晶圓表面微觀影像后進(jìn)行比對(duì),判斷晶圓是否在制造過(guò)程中有產(chǎn)生缺陷。對(duì)于目前晶圓廠紛紛將制程轉(zhuǎn)移至45奈米的趨勢(shì),電子束檢測(cè)技術(shù)將可確保在高精密度的晶圓制程中,產(chǎn)品良率仍能獲得保證。
漢微科從2004年推出第一臺(tái)電子束檢測(cè)設(shè)備以來(lái),已經(jīng)取得71項(xiàng)有關(guān)檢測(cè)原理、制程、演算法的專利。其中,由于演算法直接決定了電子束檢測(cè)機(jī)臺(tái)的掃描敏感度與效率,漢微科的演算法專利,亦確保了其較同業(yè)產(chǎn)品更佳的運(yùn)作效能。
漢微科的電子束晶圓檢測(cè)設(shè)備所采用的電子槍、電子模組、供電設(shè)備等重要零組件,均是自行研發(fā)、生產(chǎn)。在半導(dǎo)體制程持續(xù)縮微至40奈米,甚至2012年28奈米就可望成為制程主流的趨勢(shì)之下,全球晶圓廠對(duì)于電子束檢測(cè)設(shè)備的需求,一年將以增加60臺(tái)的速度穩(wěn)健成長(zhǎng),漢微科亦將以其領(lǐng)先業(yè)界的技術(shù),持續(xù)成長(zhǎng)。
漢微科成立以來(lái),因機(jī)臺(tái)開(kāi)發(fā)、推動(dòng)行銷的發(fā)酵速度較慢,到2010年上半年為止都仍陷于虧損,不過(guò)2010年下半年在臺(tái)積電、Samsung等大客戶展開(kāi)擴(kuò)廠動(dòng)作支撐,漢微科在2010年下半年獲利高達(dá)6.54億元、半年EPS高達(dá)15.52元,順利推升全年獲利轉(zhuǎn)虧為盈,去年全年獲利為2.51億元,EPS為5.69元。
而今年上半年,漢微科營(yíng)收為11.04億元,較2010年同期的6383萬(wàn)元暴增16倍,毛利率66.7%,營(yíng)益率27.5%;稅前盈余2.85億元,稅后盈余2.61億元,EPS為4.35元。由于漢微科也已順利打入美商Micron、韓商Hynix的設(shè)備供應(yīng)鏈,客戶結(jié)構(gòu)涵蓋全球半導(dǎo)體大廠,隨著下半年機(jī)臺(tái)集中出貨、認(rèn)列營(yíng)收,法人看好漢微科下半年獲利可較上半年翻倍,全年EPS可望超過(guò)13元。
漢微科的檢測(cè)設(shè)備技術(shù)目前已涵蓋90奈米、65奈米,及45奈米制程的檢測(cè)設(shè)備開(kāi)發(fā)與量產(chǎn),并開(kāi)始朝32、22奈米以下制程的檢測(cè)機(jī)臺(tái)推進(jìn),而在客戶開(kāi)發(fā)方面,2012年將鎖定IBM、Global Foundry等半導(dǎo)體大廠,估可分散客戶集中風(fēng)險(xiǎn)。