英特爾IDF展示3D電晶體

時(shí)間：2011-09-15 08:05:00

關(guān)鍵字：英特爾電晶體處理器 GLOBAL

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[導(dǎo)讀]林凱文／綜合外電英特爾(Intel)于13日舉行的科技論壇(Intel Developer Forum；IDF)中展示其3D電晶體制程技術(shù)，并指出該公司于研發(fā)新制程方面領(lǐng)先眾對(duì)手近3年。英特爾資深研究員Mark Bohr指出，在該公司導(dǎo)入應(yīng)變

林凱文／綜合外電 英特爾(Intel)于13日舉行的科技論壇(Intel Developer Forum；IDF)中展示其3D電晶體制程技術(shù)，并指出該公司于研發(fā)新制程方面領(lǐng)先眾對(duì)手近3年。

英特爾資深研究員Mark Bohr指出，在該公司導(dǎo)入應(yīng)變矽(strained silicon)時(shí)，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在3年后的2007年才成功導(dǎo)入，而在金屬閘(High-K Metal Gate；HKMG)上超微(AMD)也花了4年才終于在2011年開始生產(chǎn)。如今的3D電晶體，根據(jù)Global Foundries估計(jì)，最快將可在2015年導(dǎo)入。

其對(duì)手中，Global Foundries為超微生產(chǎn)處理器晶片，而其它如臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)等則為ARM制作大部分用于平板電腦及智慧型手機(jī)的處理器。

論壇主軸則為展出3D電晶體，Bohr解釋其為基于鰭式場(chǎng)效電晶體(FinField-effecttransistor；FinFET)制程的產(chǎn)品，并透過該結(jié)構(gòu)成功增加電晶體通道數(shù)量。此外，對(duì)于新產(chǎn)品效能，Bohr宣稱其22奈米制程的電晶體在同樣的電壓下效能較以往提升37%，相對(duì)達(dá)到節(jié)能環(huán)保效果。

英特爾表示將推出3種電晶體，分別為高效能、高漏電型(~100 nA/um)，普通效能、低漏電型(~1 nA/um)及僅能支援低時(shí)脈的低效能、超低漏電型(~0.02 nA/um)。高效能將可用于桌上型? q腦及伺服器，而普通效能則可用于Ultrabook及平板電腦，而低效能則適合如智慧型手機(jī)等可攜式產(chǎn)品。

Bohr指出，3D電晶體將于2012上半年與Ivy Bridge一同推出。但英特爾目前僅有1座位于奧勒岡州的D1D研發(fā)晶圓廠有足夠設(shè)備生產(chǎn)? 馱龤A因此Bohr也表示，未來將產(chǎn)線擴(kuò)大至5座晶圓廠。