3D半導(dǎo)體制程 不是Intel柯斷？

前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù)，簡(jiǎn)單地說就是把原本二維的平面柵級(jí)用一塊非常薄的三維矽鰭片來取代，并且在立體的三個(gè)面上都放置了一個(gè)柵級(jí)，用以輔助電流控制進(jìn)而達(dá)到省電的目的，還有因?yàn)榱Ⅲw方式讓晶體管能夠更緊密的排列在一起，也就是可以提升晶體管密度，Intel并宣稱22納米制程的立體晶體管 3-D Tri-Gate可以比32納米制程的平面晶體管有37%的效能提升，或是相同性能下可以節(jié)省一半的功耗。

目前Intel打算把這項(xiàng)技術(shù)率先應(yīng)用在Ivy Bridge處理器之上，并于2012年發(fā)布。雖然有多個(gè)團(tuán)隊(duì)在研究這項(xiàng)技術(shù)，不過Intel身為領(lǐng)先世界的半導(dǎo)體廠商維持住了自身領(lǐng)先地位，率先公布進(jìn)入投產(chǎn)階段，不僅是秀出了足以為傲的研發(fā)能力，同時(shí)也給尚未成功商業(yè)生產(chǎn)的同業(yè)帶來不少壓力。

不過原以為Intel又要領(lǐng)先業(yè)界的時(shí)候，經(jīng)韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)媒體報(bào)導(dǎo)首爾大學(xué)電機(jī)工程系教授Lee Jong-ho以及其團(tuán)隊(duì)，居然比Intel早10天的時(shí)間取得同樣是三維晶體管 FinFET制程的專利，這項(xiàng)由Lee Jong-ho教授所研發(fā)的技術(shù)名為〝bulk FinFET〞，而且Lee Jong-ho聲稱由Intel公布的資料看來，這兩項(xiàng)技術(shù)的內(nèi)容其實(shí)是一樣的。而Lee Jong-ho教授早在2003年2月4日即在美國(guó)提出專利申請(qǐng)，并于2005年4月26日完成專利登錄，而Intel則是在2003年2月14日才提出申請(qǐng)，所以如上所說比韓國(guó)人晚了10天。

先申請(qǐng)專利者可以獲得專利權(quán)法保障是國(guó)際通例，目前Lee Jong-ho教授的〝bulk FinFET〞技術(shù)已經(jīng)在韓國(guó)、美國(guó)等地獲得專利，而相關(guān)權(quán)利則歸屬于專利營(yíng)銷公司PNIB所有。所以如果Intel跟Lee Jong-ho教授的技術(shù)經(jīng)過判定是同樣的話，那Lee Jong-ho教授將可以從Intel獲取巨額的授權(quán)金，甚至也可把相關(guān)專利授權(quán)給半導(dǎo)體業(yè)界的其它廠商，也就是說Intel原本如意算盤打的〝獨(dú)家制程技術(shù)〞將會(huì)變成大家都有，而領(lǐng)先同業(yè)的幅度也會(huì)遠(yuǎn)不如市場(chǎng)估算。

韓國(guó)人果然是非常厲害的民族，近年來在高科技的進(jìn)展是有目共睹，現(xiàn)在還能跟半導(dǎo)體巨人互爭(zhēng)專利，真是厲害！不過希望這則新聞不要像之前〝孔子是韓國(guó)人〞、〝端午節(jié)是韓國(guó)人發(fā)明的〞……等等「XXX是韓國(guó)人」或是「XX是韓國(guó)人發(fā)明的」的網(wǎng)絡(luò)傳聞(后來證實(shí)是中國(guó)制造的假新聞/以訛傳訛的誤傳/網(wǎng)友惡搞)，不然又有鄉(xiāng)民來改寫十二生肖就不好了...

消息/圖片來源：english.etnews.co.kr