臺積電：暫不考慮采用

英特爾昨（5）日宣布晶體管演進上的重大技術突破，即將在年底推出的22納米制程及Ivy Bridge處理器，將是世界首款內含3D晶體管Tri-Gate的處理器芯片。英特爾表示，3D晶體管Tri-Gate將維持科技演進的步伐，于未來繼續(xù)推動摩爾定律，且效能提升與減少耗電的空前組合，造就許多層面的創(chuàng)新，讓未來22納米芯片能運用在最小的手持裝置，及強大的云端服務器。

對于英特爾將于22納米跨入3D晶體管世代，臺積電還不考慮采用。臺積電研發(fā)資深副總經理蔣尚義指出，臺積電自2003年以來就一直在研發(fā)3D晶體管，但現(xiàn)在相關技術的工具及設計都還不成熟，除非在20納米以下先進制程，且2D晶體管的容量已經達到極限，否則臺積電不會考慮采用3D晶體管技術。

英特爾表示，自從矽晶體管在50年前發(fā)明以來，首度采用3D立體結構的晶體管即將邁入量產，英特爾于2002年首次公開命名為Tri-Gate的革命性3D立體晶體管設計，將應用在22納米制程芯片當中，今年底推出的Ivy Bridge次世代處理器將首度采用3D晶體管Tri-Gate且即將邁入量產。

科學家們很早便認同3D立體晶體管結構能延續(xù)摩爾定律的準確性，因為當電路尺寸微縮到一定程度時，物理定律就變成微型化的障礙。英特爾發(fā)表的突破性成果，在于英特爾有能力使創(chuàng)新的3D、Tri-Gate晶體管設計進入量產，使得摩爾定律能延續(xù)創(chuàng)新的歷史步調。

根據英特爾的測試，3D晶體管能夠在更低的電壓下運行，對省電效率及效能提升很有幫助，如22納米的3D晶體管在低電壓模式，其效能較英特爾的32納米平面晶體管高出37％。相較于內含2D平面晶體管的32納米芯片，新型晶體管在維持相同效能時耗電量縮減近50％。