微縮制程競(jìng)賽加速，2012年Globalfoundries正式挑戰(zhàn)臺(tái)積電

自2009年3月GlobalFoundries正式成立以來，先承接超威(AMD)半導(dǎo)體制造部門位于德國(guó)德勒斯登(Dresden) Fab-36、Fab-38兩座8吋晶圓廠，并將這兩座8吋晶圓廠合并并升級(jí)為12吋晶圓廠外，還在美國(guó)紐約建構(gòu)新的12吋晶圓廠Fab-8，該廠預(yù)計(jì)將于2012年完工。

更重要的是，Global Foundries于2009年第4季宣布收購(gòu)全球第3大晶圓代工廠特許半導(dǎo)體(Chartered)，并已于2010年1月20日正式將Chartered并入GlobalFoundries。

DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，GlobalFoundries挾著阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(Advanced Technology Investment Co.；ATIC)雄厚資金來勢(shì)洶洶，在12吋產(chǎn)能擴(kuò)充一舉超越聯(lián)電，成為全球擁有12吋晶圓產(chǎn)能第2大的晶圓代工廠。

柴煥欣進(jìn)一步說明，在微縮制程發(fā)展進(jìn)度上，GlobalFoundries更是直逼晶圓代工領(lǐng)導(dǎo)廠商臺(tái)積電，這也讓全球主要晶圓代工業(yè)者2010年資本支出大幅增加，除用在12吋先進(jìn)制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)換與擴(kuò)充外，對(duì)次世代32/28奈米制程開發(fā)腳步更是加快速度。然而，要進(jìn)入32/28奈米制程，高介電系數(shù)金屬閘極(High-k Matel Gate；HKMG)制程就成為必要發(fā)展技術(shù)。

除各晶圓代工業(yè)者積極投入高介電系數(shù)金屬閘極制程研發(fā)外，柴煥欣說明，正因高介電系數(shù)金屬閘極技術(shù)所制造出來的芯片具備低耗電與高效能優(yōu)勢(shì)，因此，晶圓代工業(yè)者也將28奈米制程整合成兩種閘極技術(shù)，鎖定不同終端市場(chǎng)應(yīng)用，希望藉此創(chuàng)造晶圓代工產(chǎn)業(yè)未來成長(zhǎng)動(dòng)能。

柴煥欣分析，臺(tái)積電在取得40奈米制程市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)后，在28奈米制程，甚至20奈米制程世代的研發(fā)，亦是不遺余力，就是希望就此拉大與其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手間差距。但后起之秀的GlobalFoundries亦不容忽視，在先進(jìn)制程研發(fā)腳步上緊追臺(tái)積電之后。

透過產(chǎn)能擴(kuò)充進(jìn)度、先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖的推進(jìn)，及先進(jìn)制程低耗電與高效能兩個(gè)不同平臺(tái)所應(yīng)對(duì)終端市場(chǎng)布局，可以看出GlobalFoundries布局策略，將以從臺(tái)積電手中瓜分訂單視為未來重要營(yíng)運(yùn)指針，柴煥欣預(yù)估，GlobalFoundries將會(huì)在2012年正式挑戰(zhàn)臺(tái)積電。