[導讀]在2010臺積電美國技術(shù)論壇上，臺積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義揭示新目標。他表示臺積電將跳過22納米制程，直接發(fā)展20納米制程，預計2012年第三季導入，2013年大量量產(chǎn)，進度首度超越半導體龍頭英特爾一。處理器大廠英
在2010臺積電美國技術(shù)論壇上，臺積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義揭示新目標。他表示臺積電將跳過22納米制程，直接發(fā)展20納米制程，預計2012年第三季導入，2013年大量量產(chǎn)，進度首度超越半導體龍頭英特爾一。
處理器大廠英特爾一向是半導體制程的領(lǐng)導者，去年英特爾32納米制程量產(chǎn)， 2011年底將推出22納米制程的產(chǎn)品，臺積電則直接跳過22納米，跨進20納米，挑戰(zhàn)英特爾在先進制程的領(lǐng)導地位。臺積電今年預計以48億美元的資本支出，持續(xù)主導晶圓代工產(chǎn)業(yè)，并成為有效產(chǎn)能的領(lǐng)先提供者。在先進制程部分，昨天宣布跳過22納米，直接發(fā)展20納米，臺積電表示，這是基于為客戶創(chuàng)造價值而做的決定。
蔣尚義在技術(shù)論壇以“創(chuàng)新的新路”(A new way to innovation)為題演說，他提到臺積電未來需把三件事情做好，一是先進制程技術(shù)持續(xù)往前，二是提供超摩爾定律(Moores than More)的可能性，為半導體制程發(fā)展找到新的延續(xù)，三是繼續(xù)整合封裝、3DIC、硅智材。蔣尚義并宣布臺積電將直接投入20納米研發(fā)；他表示，20納米制程比22納米擁有更優(yōu)異的閘密度及芯片效能／成本比，其閘密度比28納米高兩倍。
臺積電2008年5月與英特爾、三星電子曾共同聲明，2012 年將是半導體發(fā)展18吋晶圓廠的適當時機，屆時臺積電與英特爾、三星等半導體大廠將一起成為最新世代的領(lǐng)導廠。外界關(guān)注臺積電20納米是否在18吋晶圓廠生產(chǎn)，臺積電表示，這要看整個業(yè)界的狀況；設(shè)備商認為，一旦20納米量產(chǎn)啟動，18英寸需求將有機會浮現(xiàn)，引發(fā)下一世代設(shè)備廠商的商機。
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