臺(tái)積電發(fā)明專(zhuān)利數(shù)量全臺(tái)第三，技驚四座

《寶島縱橫》臺(tái)灣是一個(gè)重視科技工業(yè)的地方。同樣，企業(yè)亦都必然注視智識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。
企業(yè)一直熱衷于申請(qǐng)專(zhuān)利以保障產(chǎn)業(yè)權(quán)益。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部智慧財(cái)產(chǎn)局，或稱(chēng)ＩＰＯ，于上星期公布
２００９年領(lǐng)取臺(tái)灣已授權(quán)專(zhuān)利的統(tǒng)計(jì)資料。２００９年總共有４﹒３７萬(wàn)份已授權(quán)專(zhuān)利。當(dāng)中
屬于發(fā)明的授權(quán)專(zhuān)利有１﹒４１萬(wàn)份，而屬于有關(guān)產(chǎn)品外型、結(jié)構(gòu)及制造的技術(shù)概念授權(quán)專(zhuān)利有
２﹒３５萬(wàn)份。最后剩下的５９９５份則是設(shè)計(jì)類(lèi)型的。

＊臺(tái)積電發(fā)明專(zhuān)利數(shù)量全臺(tái)第三＊

不難想象，三大授權(quán)專(zhuān)利都各自維護(hù)參與不同產(chǎn)業(yè)鏈的各機(jī)構(gòu)。以富士康（０２０３８）為
例，基于業(yè)務(wù)主要集中于電子產(chǎn)品的代工生產(chǎn)，所以申請(qǐng)專(zhuān)利亦以與產(chǎn)品外型、結(jié)構(gòu)及制造的技
術(shù)概念為主。
雖然如此，三類(lèi)授權(quán)專(zhuān)利富士康都是獨(dú)占鰲頭的。不要以為于臺(tái)灣申請(qǐng)專(zhuān)利只是臺(tái)企之間的
玩意，好些國(guó)際知名的電子科技公司亦積極于島內(nèi)申請(qǐng)專(zhuān)利，如Ｓａｍｓｕｎｇ、Ｓｏｎｙ、
Ｉｎｔｅｌ、Ｈｙｎｉｘ、Ｓｈａｒｐ等。不計(jì)算產(chǎn)品外型、結(jié)構(gòu)及制造的技術(shù)概念授權(quán)專(zhuān)利，
外企的授權(quán)專(zhuān)利數(shù)量占近全臺(tái)的４７％。
而值得注意是，發(fā)明專(zhuān)利的數(shù)量比較。此類(lèi)專(zhuān)利的技術(shù)含量應(yīng)是最高。以數(shù)量計(jì)，２００９
年獲得已授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利的５大機(jī)構(gòu)，排名順序是富士康、臺(tái)灣工研院、臺(tái)積電、友達(dá)及
Ｉｎｔｅｌ。從數(shù)量比對(duì)能力并不公平，因?yàn)槊糠輰?zhuān)利的技術(shù)含量皆不能從數(shù)字反映，但亦可作
為企業(yè)投放研發(fā)資源及技術(shù)領(lǐng)先的參考。
臺(tái)積電雖然以２２５份發(fā)明專(zhuān)利排第三，低于獲授權(quán)３９０份發(fā)明專(zhuān)利排名第二位的臺(tái)灣工
研院。但臺(tái)灣工研院屬研究機(jī)構(gòu)，而且參與的產(chǎn)業(yè)亦非常廣泛。故此，可見(jiàn)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，臺(tái)
積電的研發(fā)能力及資源投放都穩(wěn)占領(lǐng)導(dǎo)地位。未來(lái)幾年，相信臺(tái)積電于半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)上都難逢
敵手。

＊３２╱２８ｎｍ制程的技術(shù)改革＊

臺(tái)積電一改以往用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工藝的做法，計(jì)劃于２８ｎｍＨＫＭＧ柵極結(jié)構(gòu)
制程技術(shù)中采用Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ工藝。業(yè)界內(nèi)，Ｉｎｔｅｌ是Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ的先鋒，
從４５ｎｍＨＫＭＧ制程起便一直在采用；而ＩＢＭ、ＡＭＤ、
Ｇｌｏｕｂａｌｆｏｕｄｒｉｅｓ則沿用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工藝。臺(tái)積電解釋?zhuān)缃竦?br>Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ＋ＨＫＭＧ工藝很難控制管子Ｖｔ電壓，而在管子的上覆層
（ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ）上想辦法進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾y度相當(dāng)高。
工藝轉(zhuǎn)換不僅需要芯片代工廠商調(diào)整工序和制造工藝，還需要電路設(shè)計(jì)方調(diào)整電路
Ｌａｙｏｕｔ設(shè)計(jì)，這樣才能在轉(zhuǎn)換工藝后保持產(chǎn)品的管芯密度不變。臺(tái)積電為克服這些問(wèn)題，
正與客戶(hù)的電路設(shè)計(jì)Ｌａｙｏｕｔ團(tuán)隊(duì)一起合作解決。臺(tái)積電表示，今年將啟用三種不同的
２８ｎｍ制程實(shí)施計(jì)劃。
雖然從４０ｎｍ轉(zhuǎn)向２８ｎｍ制程的風(fēng)險(xiǎn)相當(dāng)高，但臺(tái)積電已作出各方準(zhǔn)備，如工藝可靠性
，以及產(chǎn)品優(yōu)良率控制等。為了順利進(jìn)行技術(shù)改革，更從２００６到２００９年，增加技術(shù)團(tuán)隊(duì)
人數(shù)達(dá)一倍。種種付出都是為了堅(jiān)持其具前瞻性的看法。臺(tái)積電令人驚訝的不獨(dú)是技術(shù)水平，還
有是管理層的執(zhí)行力與其勇于創(chuàng)新的管理哲學(xué)。