450mm晶圓，EUV光刻、TSV三項投入應用將推遲至2015-2016年

半導體技術(shù)市場權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)（EUV）投入實用的時間點將再度后延。

據(jù)ICInsights預計，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設(shè)--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術(shù)中也不會應用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。

另外一項較新的半導體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)（TSVs）也仍然處于萌芽狀態(tài)，ICInsight公司的分析師TrevorYancey表示，此前外界似乎過高估計了這項技術(shù)的成熟度，目前這項技術(shù)要投入實用，還需要解決很多有關(guān)測試和成本方面的問題。

這樣的分析結(jié)果意味著曾被人們寄予厚望的，能用來延續(xù)摩爾定律壽命的三項新技術(shù)：450mm，EUV以及TSVs離投入實用還有一段時間。

450mm技術(shù)實用化的后延并不令人感到意外，畢竟轉(zhuǎn)換到450mm技術(shù)需要大量的資金投入，而且眼下經(jīng)濟危機的陰云還沒有完全散去。據(jù)先前的報道，Intel，臺積電以及三星三家公司將各自在2012年前建成自己的450mm試驗用廠房。這幾家公司都希望能在32nm制程節(jié)點上采用450mm晶圓制出展示用樣品，并將在22nm制程節(jié)點上采用450mm晶圓進行小量試產(chǎn)。不過也有人認為450mm工廠永遠也不會投入實用，他們認為相關(guān)的研發(fā)費用實在是太高了。

在最近舉辦的半導體產(chǎn)業(yè)策略研討會上（ISS），有傳言稱芯片廠商已經(jīng)暫時放棄了建設(shè)450mm晶圓廠的計劃，并稱有關(guān)的計劃只有在15nm節(jié)點制程才有望得以實施。據(jù)業(yè)者猜測，經(jīng)濟危機，缺乏設(shè)備制造廠商的有力支持應該是造成計劃拖延的主要因素。

EUV技術(shù)方面，由于在光阻膠以及光掩模板等方面仍有技術(shù)難題需要克服，因此投入實用的日期也將從原先預計的2013年16nm制程節(jié)點拖后到2015年左右的13nm制程節(jié)點。此前包括Intel和三星在內(nèi)多家廠商和半導體制造協(xié)會均表示，由于資金短缺，和EUV光掩模檢具的匱乏，因此EUV光刻技術(shù)的實施日期將后延一段時間。