臺積電40nm制程仍存良率不足問題

據(jù)業(yè)界分析，臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時(shí)候，臺積電曾公開承認(rèn)此問題，但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過，根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內(nèi)容，我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對臺積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔(dān)憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。

不過并非所有廠商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。”

相比之下，Nvidia則對臺積電的40nm制程良率表達(dá)了較為不信任的意見，據(jù)Barclays公司的分析師 C.J. Muse透露：“在Nvidia的會議上，與會者整晚都在討論臺積電的40nm產(chǎn)能及良率問題。”

“管理層討論了臺積電的良率改進(jìn)，但他們認(rèn)為改進(jìn)的程度仍顯不足。盡管良率的確有所改進(jìn)，但不容忽視的是臺積電曾提到目前40nm制程制作過程中仍存在腔體匹配問題(Chamber matching：即保證各個(gè)用于對晶圓進(jìn)行離子注入的工藝腔氣體配方成分盡量一致)，希望他們能盡快解決。”

此前有消息指出，造成臺積電40nm制程腔體匹配問題的罪魁禍?zhǔn)资瞧?strong>離子注入設(shè)備的供應(yīng)商。

“AMD與Nvidia均受到此問題的影響，而AMD搶先兩個(gè)月推出DX11顯卡產(chǎn)品的優(yōu)勢則正逐步被這個(gè)問題所抵消掉.”