[導(dǎo)讀]7月9日消息，臺積電副總裁Jack Sun近日宣布了臺積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。他說，目前臺積電主要將精力集中于先進的CMOS技術(shù)。并且將會向?qū)ｉT的封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移，除此以外還包括有類比電路、RF、電源、圖形感應(yīng)器以及M
7月9日消息，臺積電副總裁Jack Sun近日宣布了臺積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。
他說，目前臺積電主要將精力集中于先進的CMOS技術(shù)。并且將會向?qū)ｉT的封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移，除此以外還包括有類比電路、RF、電源、圖形感應(yīng)器以及MEMS電路。
臺積電已經(jīng)與法國半導(dǎo)體研究機構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)定，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計畫，就半導(dǎo)體制造中的無光罩微影技術(shù)進行合作。 Jack Sun表示：“通過加入IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計畫，我們將會圍繞這項技術(shù)將半導(dǎo)體工業(yè)聯(lián)合起來，加速其在IC生產(chǎn)中的發(fā)展與引進速度?！?/p>
據(jù)他介紹，臺積電將會在2010年一季度試水28nm工藝，量產(chǎn)將會在2011年實現(xiàn)。另外臺積電還表示將會至少增加30%的研發(fā)人員數(shù)量，當前臺積電的研發(fā)人員數(shù)量為1800人，R&D研發(fā)預(yù)算也將會增強20%。
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