羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。

新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨家的高效特性，有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實現(xiàn)更低功耗。另外，根據(jù)不同用途提供3種小型封裝，可減少安裝面積，更加節(jié)省空間。

關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆的總部(日本京都市)，后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)，從2012年4月開始出售樣品(樣品價格30～50日元/個)，從5月份開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模進行量產(chǎn)。

近年來，隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發(fā)展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發(fā)低電壓化，設(shè)備的電源電路的溫升和電池驅(qū)動時間減少已成為很大問題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器等各種電源電路中內(nèi)置功率MOSFET，使之承擔與提高電源的電力轉(zhuǎn)換效率直接相關(guān)的重要作用。為了實現(xiàn)高效低損耗的功率MOSFET，降低導通電阻和柵極容量是非常重要的，然而權(quán)衡兩者的關(guān)系后，往往很難同時兼顧。

新系列產(chǎn)品，除了進一步微細化，采用羅姆獨家的低容量構(gòu)造和新的“溝槽式場板結(jié)構(gòu)”，同時實現(xiàn)了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉(zhuǎn)換器用功率MOSFET的性能指數(shù)所使用的“FOM”與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低了50%，達到了業(yè)界頂級的高效性。由此，不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關(guān)損耗，而且降低了低邊(Low Side)的導通損耗，可大大提高電路整體的效率。另外，能夠在高頻下進行同期整流動作，使外圍部件的小型化成為可能。

此外，本產(chǎn)品為了確保在同期整流電路中的性能，針對Rg(柵極電阻)、UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗，在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨創(chuàng)的先進工藝加工技術(shù)，不斷推進設(shè)想到客戶需求的晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。

<特點>

1) 低導通電阻、低容量

進一步微細化，同時，采用羅姆獨家的低容量構(gòu)造和新的“溝槽式場板結(jié)構(gòu)”，實現(xiàn)了低容量與低導通電阻兼?zhèn)涞脑?。與羅姆傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，表示功率MOSFET的性能指數(shù)的“FOM”數(shù)值可降低50%。

2) 實現(xiàn)業(yè)界頂級的高效率

在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET，可大大降低電力損耗，因此有助于設(shè)備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越，使外圍部件的小型化成為可能。

3) 采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間，產(chǎn)品陣容中還包括復合封裝

根據(jù)不同用途，提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%，為節(jié)省空間做出巨大貢獻。而且，產(chǎn)品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET復合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小，而且還可有助于減少安裝次數(shù)。

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