英飛凌推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005

德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步壯大其200 V驅(qū)動IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅(qū)動IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應用提供全面保護，比如電動園藝設備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅(qū)動以及半橋式驅(qū)動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結隔離(HVJI)工藝，以實現(xiàn)小型封裝，同時保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應用量身定制。它們能實現(xiàn)很高的系統(tǒng)級效率和功率密度，同時實現(xiàn)必要的耐用性。

IRS200x產(chǎn)品家族包括六款器件，典型灌電流為600 mA，拉電流為290 mA。這些200 V器件支持3.3 V、5 V和15 V邏輯元件。整個產(chǎn)品家族的驅(qū)動IC均支持VCC欠壓鎖定(UVLO)，而IRS2005還支持VBS UVLO，可以進一步提高系統(tǒng)可靠性。200V驅(qū)動IC專為支持自舉電源而設計，這樣就不必配備大而昂貴的輔助電源——通?；诜至⒐怆婑詈掀骰蜃儔浩鞯脑O計有這種需要。此外，IRS2003和IRS2004集成死區(qū)時間和直通保護功能。這些200 V器件具備低靜態(tài)電流。IRS2004還具有關斷輸入引腳。