3D芯片堆疊漸流行！GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以實現(xiàn)20納米及3D芯片堆疊

GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始安裝一套可在尖端20納米技術(shù)平臺上的半導體晶圓中構(gòu)建硅通孔(TSV)的特殊生產(chǎn)工具。此舉將使客戶能夠?qū)崿F(xiàn)多個芯片的堆疊，從而為滿足未來電子設備的高端要求提供了一條新的渠道。

TSV，即在硅中刻蝕豎直孔徑，并以銅填充，從而在垂直堆疊的集成電路之間實現(xiàn)導通。例如，該技術(shù)允許電路設計人員將存儲器芯片堆疊于應用處理器之上，在實現(xiàn)存儲器帶寬大幅提高的同時降低功耗，從而解決了智能手機和平板電腦等新一代移動設備設計中的這一重大難題。

在尖端工藝節(jié)點上采用集成電路3D堆疊技術(shù)如今已日益被視為傳統(tǒng)的在晶體管級上采用技術(shù)節(jié)點進行等比例縮小的替代方案。然而，隨著新的封裝技術(shù)的出現(xiàn)，芯片與封裝交互的復雜性顯著提高，晶圓代工廠及其合作伙伴越來越難以提供“端到端”的解決方案來滿足眾多尖端設計的要求。

GLOBALFOUNDRIES首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“為了幫助解決上述在新的硅工藝節(jié)點上的挑戰(zhàn)，我們很早就已開始與合作伙伴共同開發(fā)能夠支持半導體行業(yè)下一波創(chuàng)新的封裝解決方案。通過采用廣泛合作的方法，我們能夠給予客戶最大的選擇權(quán)和靈活性，同時致力于節(jié)省成本、加快量產(chǎn)時間，并降低新技術(shù)開發(fā)的相關(guān)技術(shù)風險。在Fab 8中安裝20nm技術(shù)的TSV工具將令GLOBALFOUNDRIES新增一個重要能力，從設計到組裝和測試，今后我們在與半導體生態(tài)系統(tǒng)中的眾多公司在研發(fā)與制造上的合作都將因此受益。”

GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技術(shù)最先進的晶圓代工廠之一，也是美國規(guī)模最大的尖端半導體代工廠。該工廠專注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造，20nm技術(shù)研發(fā)正在順利進行中。采用TSV的首顆全流芯片預計將于2012年第三季度在Fab 8開始生產(chǎn)。