華為海思將采用中芯28nm驍龍410 摒棄臺(tái)積電

今年8月，內(nèi)地最大集成電路晶圓代工廠中芯國(guó)際(SMIC)宣布采用其28nm工藝制程的驍龍410芯片開始用于主流智能手機(jī)，可謂開創(chuàng)了先進(jìn)手機(jī)芯片制造落地中國(guó)的新紀(jì)元。

據(jù)媒體報(bào)道，在近日接受采訪時(shí)，中芯國(guó)際執(zhí)行副總裁李序武稱，將有一批新的客戶使用新的28nm HKMG(后閘級(jí)高介電常數(shù)絕緣層)，包括華為海思、博通。

報(bào)道稱，目前，中芯國(guó)際的28nm在傳統(tǒng)PoliSiON(PS，多晶硅)工藝組件上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，正在加速HKMG的交付。

對(duì)于今年6月份聯(lián)合高通、華為、比利時(shí)微電子研究中心合資開發(fā)14nm FinFET的事情，李序武也透露，比利時(shí)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)派工作組進(jìn)駐中芯參與工作，預(yù)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的時(shí)間最快是2018年。

目前，海思28nm高端芯片麒麟935來(lái)自臺(tái)積電，資料顯示采用的是HPC工藝(H代表HKMG)。一切順利的話，定位略低于麒麟950的新處理器或者麒麟935的一部分生產(chǎn)工作將交給SMIC，打造最強(qiáng)中國(guó)芯。