ARM首款基于臺(tái)積電10納米FinFET技術(shù)芯片問世

ARM宣布首款采用臺(tái)積電(TSMC) 10奈米FinFET制程技術(shù)的多核心64位元ARMRv8-A處理器測(cè)試晶片問世。模擬基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果顯示，相較于目前多用于多款頂尖高階手機(jī)運(yùn)算晶片的16奈米FinFET+ 制程技術(shù)，此測(cè)試晶片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。

ARM宣布首款采用臺(tái)積電(TSMC) 10奈米FinFET制程技術(shù)的多核心64位元ARMRv8-A處理器測(cè)試晶片問世。模擬基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果顯示，相較于目前多用于多款頂尖高階手機(jī)運(yùn)算晶片的16奈米FinFET+ 制程技術(shù)，此測(cè)試晶片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。

此款測(cè)試晶片已成功獲得驗(yàn)證(2015年第4季已完成設(shè)計(jì)定案)，為ARM與臺(tái)積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。此一驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法，能夠使新客戶采用臺(tái)積公司最先進(jìn)的10奈米FinFET制程完成設(shè)計(jì)定案。此外，亦可供SoC設(shè)計(jì)人員利用基礎(chǔ)IP(標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)、嵌入式記憶體及標(biāo)準(zhǔn)I/O)開發(fā)最具競(jìng)爭(zhēng)力的SoC，以達(dá)到最高效能、最低功耗及最小面積的目標(biāo)。

此款最新的測(cè)試晶片是ARM與臺(tái)積電長(zhǎng)期致力于先進(jìn)制程技術(shù)的成果，植基于2014年10月宣布的首次10奈米FinFET技術(shù)合作。ARM與臺(tái)積電共同的IC設(shè)計(jì)客戶亦獲益于提早取得ARM Cortex-A72處理器的ARM Artisan實(shí)體IP與16奈米FinFET+設(shè)計(jì)定案，此款高效能處理器已獲當(dāng)今多款暢銷高階運(yùn)算裝置采用。