SSD發(fā)展迅猛！三星量產(chǎn)90層堆棧 V-NAND，單芯片容量達(dá)到 1TB

時(shí)間：2018-07-25 16:41:34

關(guān)鍵字： ssd 三星 v-nand

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[導(dǎo)讀]根據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，在保持目前的普及增長(zhǎng)率的同時(shí)，SSD的出貨量將會(huì)在2020年超越HDD，在未來四年內(nèi)，SSD的銷售量將以每年平均20.7%的速度增長(zhǎng)，對(duì)HDD硬盤的需求將每年減少7.3%。對(duì)于SSD的競(jìng)爭(zhēng)，三星、東芝、西數(shù)等硬盤大企業(yè)也都加快了上新進(jìn)度，以分食市場(chǎng)。

根據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，在保持目前的普及增長(zhǎng)率的同時(shí)，SSD的出貨量將會(huì)在2020年超越HDD，在未來四年內(nèi)，SSD的銷售量將以每年平均20.7%的速度增長(zhǎng)，對(duì)HDD硬盤的需求將每年減少7.3%。對(duì)于SSD的競(jìng)爭(zhēng)，三星、東芝、西數(shù)等硬盤大企業(yè)也都加快了上新進(jìn)度，以分食市場(chǎng)。

根據(jù)HKEPC的消息，三星在日本宣布已正式量產(chǎn)90堆疊層數(shù)的第5代V-NAND，單芯片容量達(dá)到 1TB，同時(shí)將會(huì)在今年內(nèi)推出32TB容量的TLC NAND SSD。

據(jù)報(bào)道，三星容量 1TB的單芯片顆?？蛇_(dá)到1.2GB每秒讀取速度，采用M.3 規(guī)格，相比M.2 SSD更寬，好處是可以并排放下兩組NAND Flash，有助于提高儲(chǔ)存容量。

之前報(bào)道國(guó)，東芝的96層QLC閃存單張閃存芯片容量可以達(dá)到2.66TB?；?.33Tb核心的QLC閃存，東芝開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2.66TB，現(xiàn)在QLC閃存的幫助下單芯片封裝實(shí)現(xiàn)了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

西數(shù)也對(duì)SSD非常重視，西數(shù)這邊關(guān)閉機(jī)械硬盤工廠的同時(shí)又?jǐn)U建了SSD工廠，還宣布了面向未來的消費(fèi)級(jí)的QLC閃存SSD的就快到來，說明業(yè)務(wù)重心已經(jīng)向SSD這邊傾斜了。