三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

        據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。

         三星稱，2GB DDR3內(nèi)存芯片耗電量比用50納米生產(chǎn)技術(shù)制造的內(nèi)存芯片的耗電量減少了30%，生產(chǎn)成本效率提高了一倍多。三星用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦和服務(wù)器的2GB DDR3內(nèi)存芯片只使用1.5伏或1.35伏電源。

          據(jù)經(jīng)營在線內(nèi)存芯片市場的DRAMeXchange Technology稱，由于DDR3內(nèi)存芯片降低了耗電量和提供了速度，DDR3內(nèi)存可能會(huì)在本季度取代其以前的產(chǎn)品DDR2內(nèi)存。PC廠商正在積極地推動(dòng)在筆記本電腦和服務(wù)器中使用這種內(nèi)存芯片。

          使用30納米生產(chǎn)技術(shù)將使三星電子領(lǐng)先于競爭的DRAM內(nèi)存廠商。三星電子稱，其30納米DDR3芯片將在今年下半年大批量生產(chǎn)，并且計(jì)劃在2010年年底之前將這種新的技術(shù)應(yīng)用到大多數(shù)內(nèi)存芯片生產(chǎn)中。

          英特爾和美光科技的合資企業(yè)IM Flash Technologies是領(lǐng)先于三星的少數(shù)幾家公司之一。這個(gè)公司正在使用25納米技術(shù)生產(chǎn)閃存芯片。這家公司不生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。

          三星稱，在DDR3內(nèi)存芯片生產(chǎn)中，30納米技術(shù)比老式的40納米技術(shù)的生產(chǎn)效率提高了60%。芯片廠商一般不會(huì)把節(jié)省的成本立即提供給消費(fèi)者，因?yàn)樗麄兪紫刃枰栈赝瞥鲞@個(gè)技術(shù)所需要的大規(guī)模的投資。