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[導讀]21ic電子網(wǎng)訊:Intel這兩年在消費級領域的進步很緩慢,大家紛紛指責缺乏競爭讓Intel變得懶惰了,不過在服務器領域,Intel仍將快馬加鞭,每年都會有新變化。今年九月份,Intel正式發(fā)布了新一代雙路處理器Ivy Bridge-E

21ic電子網(wǎng)訊:Intel這兩年在消費級領域的進步很緩慢,大家紛紛指責缺乏競爭讓Intel變得懶惰了,不過在服務器領域,Intel仍將快馬加鞭,每年都會有新變化。

今年九月份,Intel正式發(fā)布了新一代雙路處理器Ivy Bridge-EP Xeon E5-2600 v2,最多12個核心。雖然比上代提升有限,但依然無敵(AMD完全無力抗衡),市場上也大獲成功,賣得非常好,拿下超級計算機世界第一的天河二號都用的它。

很快,面向四路和更大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的Ivy Bridge-EX Xeon E7 v2系列也將誕生,最多15個核心。

值得一提的是,現(xiàn)已確認,12核心的IVB-EP其實是15核心IVB-EX屏蔽而來的,不像10核心、6核心那樣是原生的——總算知道Intel為什么偏偏不公布12核心版本的內(nèi)核照片了。

明年秋天(IDF 2014期間),Intel將推出Haswell-EP Xeon E5-2600 v3系列,最多14個核心(28個線程)、35MB三級緩存(每核心依然對應2.5MB),同時還會有原生8核心,但是這個14核心是原生的,還是Haswell-EX上借用過來的上不得而知,后者的核心數(shù)量可能會超過16個。

Haswell-EP仍將基于22nm,但是系統(tǒng)架構將出現(xiàn)飛躍式的巨大變化,比如首次引入DDR4內(nèi)存,RDIMM、LPDIMM,四通道,起步頻率2133MHz;QPI總線升級至1.1版本,最高速率提升至9.6GT/s;原生支持USB 3.0、SAS 12Gbps、PCI-E固態(tài)硬盤等等。其中不少還會延續(xù)到桌面發(fā)燒平臺Haswell-E,尤其是DDR4。

不過,PCI-E 3.0總線還是40條不變。

Haswell-EP研發(fā)順利,工程樣品已經(jīng)寄出測試,目前一切正常。

之后再過一年(IDF 2015),Intel將再次帶來新的Broadwell-EP,正式名稱自然是Xeon E5-2600 v4,首次為服務器和工作站引入14nm,核心數(shù)量最多達到18個(36線程),三級緩存也因此增至最多45MB。

據(jù)猜測,18核心也可能不是原生的,而是從核心肯定更多的Haswell-EX上挪用而來,同時還有原生16核心版本。這一招真是要用到底啊。

Broadwell-EP的基本架構保持不變(主要是提升工藝嘛),但是內(nèi)存會增加支持立體封裝的3DS LRDIMM,頻率也進一步提升至DDR4-2400。通道依然是四個,每通道最多兩條,因此雙路系統(tǒng)最多能裝16條,單條128GB的話總容量就可達2TB。

Intel還宣稱,DDR4-2400相比于DDR3-1866可以帶來15-25%的性能提升,而且功耗更低(電壓降至1.2V)。

Broadwell-EP還將支持10GbE以太網(wǎng)、Fultonvale 2TB PCI-E 3.0固態(tài)硬盤、PCI-E 3.0 Xeon Phi協(xié)處理器。

有趣的是,Broadwell-EP、Haswell-EP雖然工藝不同,但是熱設計功耗將處在同一級別,最高都能達到160W(工作站/現(xiàn)在最高150W),同時還有145、135、120、105、85、80、70W等等。

按照Intel的估計,雙路18核心Broadwell-EP 145W相比于雙路12核心Ivy Bridge-EP 130W,整數(shù)和浮點吞吐能力可提升將近60%,數(shù)據(jù)庫性能提升超過80%。

芯片組方面,Haswell-EP、Broadwell-EP都將搭配Wellsburg C610系列,保持彼此兼容,升級后者只需刷BIOS即可。

該芯片組支持最多10個SATA 6Gbps、6個USB 3.0、8個USB 2.0、八條PCI-E 2.0。

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