DRAM時(shí)代或?qū)⒔K結(jié) MRAM新技術(shù)耗電量?jī)H為前者三分之一

21ic電子網(wǎng)訊：據(jù)科技博客CNET報(bào)道，來(lái)自日本和美國(guó)的20多家芯片開(kāi)發(fā)和制造企業(yè)組成研發(fā)聯(lián)盟，宣布未來(lái)將共同致力于下一代“磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”（MRAM）存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)。多家廠商聯(lián)合加大MRAM存儲(chǔ)技術(shù)推廣及應(yīng)用，或?qū)⑿骈L(zhǎng)期統(tǒng)治存儲(chǔ)市場(chǎng)的DRAM時(shí)代行將結(jié)束。

援引周日《日經(jīng)新聞》網(wǎng)絡(luò)版消息，包括東京電子（Tokyo Electron）、信越化學(xué)工業(yè)（Shin-Etsu Chemical）、瑞薩電子（Renesas Electronics）、日立等日本公司以及美國(guó)芯片巨頭美光科技在內(nèi)的20多家芯片相關(guān)企業(yè)，計(jì)劃在明春?jiǎn)?dòng)一項(xiàng)旨在加大MRAM存儲(chǔ)技術(shù)推廣及應(yīng)用研發(fā)項(xiàng)目。

報(bào)道稱(chēng)，這些公司“將派出幾十名研究人員”進(jìn)駐日本北部的東北大學(xué)（Tohoku University），由Tetsuo Endoh教授領(lǐng)銜這項(xiàng)新技術(shù)的研發(fā)。據(jù)悉，這項(xiàng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目將在明年2月份正式啟動(dòng)。

與傳統(tǒng)的DRAM存儲(chǔ)技術(shù)相比，MRAM耗電量僅為前者的三分之一，但讀寫(xiě)速度卻達(dá)到DRAM的十倍。從理論上來(lái)講，MRAM存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)使其更適合于下一代智能手機(jī)和平板電腦。不過(guò)這些觀點(diǎn)是否能夠在真正在商業(yè)產(chǎn)品上得以實(shí)現(xiàn)還有待進(jìn)一步觀察。報(bào)道稱(chēng)，預(yù)計(jì)MRAM存儲(chǔ)技術(shù)被大規(guī)模應(yīng)用還需等到2018年。

此前，盡管有不少企業(yè)聯(lián)手進(jìn)行了下一代存儲(chǔ)芯片技術(shù)的研發(fā)，但大都沒(méi)有取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展而宣告失敗。也有少數(shù)企業(yè)在此領(lǐng)域取得了突破，位于美國(guó)亞利桑那州的Everspin Technologies公司宣告其已開(kāi)發(fā)出MRAM產(chǎn)品，并成功推向市場(chǎng)。