[導讀]美國加州納米技術研究院(簡稱CNSI)成功使用MoS2(輝鉬，二硫化鉬)制造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個MoS2為基礎的微芯片只有同等矽基芯片的20%大小，功耗極低，輝鉬制成的晶體管在待機情況下的功耗為矽晶體管的十萬分
美國加州納米技術研究院(簡稱CNSI)成功使用MoS2(輝鉬，二硫化鉬)制造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個MoS2為基礎的微芯片只有同等矽基芯片的20%大小，功耗極低，輝鉬制成的晶體管在待機情況下的功耗為矽晶體管的十萬分之一，而且比同等尺寸的石墨烯電路更加廉價！而最大的變化是其電路有很強的柔性，極薄，可以附著在人體皮膚之上。
2011年瑞士聯(lián)邦理工學院洛桑分校(EPFL)科學家制造出全球第一個輝鉬礦微晶片(上面有更小且更節(jié)能的電晶體)輝鉬是未來取代矽基芯片強力競爭者！領導研究的安德拉斯．基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景秀，而這次美國加州納米技術研究院制成的輝鉬基柔性微處理芯片未來前景將更加廣泛。
同矽和石墨烯相比，輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的矽薄膜上一樣容易，輝鉬礦是可以被加工到只有3 個原子厚的！
輝鉬所具有的機械特性也使得它受到關注，有可能成為一種用于彈性電子裝置(例如最近出現(xiàn)在彈性薄層晶片設計中的那種)中的材料。 可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體。
英國《自然．納米技術》雜志就指出：單層的輝鉬材料顯示出良好的半導體特性，有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的矽和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導體材料。
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