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[導(dǎo)讀]2014-3-12 (WinTECH訊) 20nm節(jié)點(diǎn)將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的分水嶺和轉(zhuǎn)折點(diǎn),它不僅帶來半導(dǎo)體設(shè)備、光刻技術(shù)、封測(cè)技術(shù)等領(lǐng)域的諸多挑戰(zhàn),更對(duì)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具提出了革新性的需求。2013年28nm芯片呈現(xiàn)爆發(fā)式增

2014-3-12 (WinTECH訊) 20nm節(jié)點(diǎn)將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的分水嶺和轉(zhuǎn)折點(diǎn),它不僅帶來半導(dǎo)體設(shè)備、光刻技術(shù)、封測(cè)技術(shù)等領(lǐng)域的諸多挑戰(zhàn),更對(duì)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具提出了革新性的需求。2013年28nm芯片呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng),更有少數(shù)廠商將在2013年進(jìn)入22nm和20nm時(shí)代。而先進(jìn)工藝IP的移植及設(shè)計(jì)優(yōu)化遇到的諸多挑戰(zhàn),隨著制造工藝愈加復(fù)雜,尤其進(jìn)入到納米工藝制程,且新產(chǎn)品上市周期越來越短,如何提高設(shè)計(jì)移植效率,縮短設(shè)計(jì)周期是當(dāng)前所有IC設(shè)計(jì)公司面臨的全新挑戰(zhàn)。此外,隨著FinFET、3DIC等新工藝的應(yīng)用,EDA還需要進(jìn)行器件機(jī)理研究及復(fù)雜模型的精準(zhǔn)化及標(biāo)準(zhǔn)化,電遷移引起的效應(yīng)也將是EDA工具需重點(diǎn)攻克的難題。

芯片由設(shè)計(jì)到制造過程中,會(huì)面臨諸如如何提高指標(biāo)、增加工作效率、增強(qiáng)可靠性等技術(shù)難題。為了解決這些難題,華大九天2013年將WiCkeD™平臺(tái)引入中國(guó),并在短時(shí)間內(nèi)將華大九天并行電路仿真工具Aeolus-AS與MunEDA 的WiCkeD™ 設(shè)計(jì)移植平臺(tái)進(jìn)一步融合,致力于為廣大設(shè)計(jì)者提供先進(jìn)工藝制程IC 設(shè)計(jì)分析、優(yōu)化及不同工藝節(jié)點(diǎn)、不同 foundry 工藝的設(shè)計(jì)快速移植等解決方案。該方案在Fabless與Foundry間架起了關(guān)鍵橋梁, 不僅大大提高了IP重用的效率,而且?guī)椭こ處熡行Ы鉀Q當(dāng)前設(shè)計(jì)移植效率的瓶頸,并提高設(shè)計(jì)效率及電路良率。

經(jīng)國(guó)內(nèi)外多個(gè)廠商的實(shí)際應(yīng)用以及benchmark比對(duì),無論從高效性還是可靠性而言,該方案均是目前實(shí)現(xiàn)IP快速移植以及移植之后進(jìn)行指標(biāo)優(yōu)化的最佳方案;而對(duì)于高重復(fù)度電路的Yield分析和優(yōu)化方面,該方案也是市面上效率最高的可行性方案之一,并在SMIC、HLMC等廠商均已獲得成功應(yīng)用。 

華大九天聯(lián)手MunEDA布局20nm設(shè)計(jì)移植優(yōu)化方案

圖 - MunEDA WiCkeDTM工具可廣泛應(yīng)用于納米級(jí)IC設(shè)計(jì)移植、驗(yàn)證、建模與優(yōu)化

華大九天2014年技術(shù)研討會(huì)上海站(暨德國(guó)MunEDA公司中國(guó)區(qū)用戶大會(huì))將于3月20日在浦東新區(qū)龍東商務(wù)酒店舉行。本次大會(huì)將首次于國(guó)內(nèi)進(jìn)行全方位展示全定制IC設(shè)計(jì)移植和優(yōu)化新方案,以及20nm 時(shí)代SoC后端設(shè)計(jì)與優(yōu)化解決方案。此外,主辦方還邀請(qǐng)到數(shù)位業(yè)界專家,分享本土EDA平臺(tái)及全球領(lǐng)先EDA方案的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為更多的IC設(shè)計(jì)從業(yè)者搭建知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)的共享平臺(tái)。
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