3D NAND Flash起飛 2年內(nèi)市占達1/5

全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查，受惠智能手機、平板電腦與固態(tài)硬盤的強勁成長，2013年NAND Flash需求年增率高達46%，產(chǎn)值較2012年成長22%，來到246億美元。2014年在固態(tài)硬盤應(yīng)用逐漸滲透到企業(yè)端用戶帶動下，預(yù)期NAND Flash需求可達36%成長，產(chǎn)值可突破270億美元，TrendForce研究協(xié)理楊文得表示，“隨著制程演進，NAND Flash成本已逐漸降至OEM廠商的甜蜜點，因此未來將有更多的終端裝置導(dǎo)入NAND Flash?！?BR>
從制程轉(zhuǎn)進的腳步來看，NAND Flash業(yè)者從去年第三季以來陸續(xù)轉(zhuǎn)進1X奈米制程，同時20奈米等級的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式產(chǎn)品也廣泛被應(yīng)用在各種移動設(shè)備中，因此去年第四季20奈米與1X奈米出貨比重已突破90%，成為NAND Flash主流制程。隨著制程微縮在1X奈米以下將面臨物理限制的挑戰(zhàn)，各家NAND Flash業(yè)者紛紛加速開發(fā)3D-NAND Flash的技術(shù)來突破單位面積儲存容量的限制，而自從三星在去年八月份宣告將以3D-NAND Flash進軍服務(wù)器等級固態(tài)硬盤以來，使得其他陣營更加速3D-NAND Flash的開發(fā)腳步。

楊文得表示，觀察各家目前3D-NAND Flash開發(fā)進度，三星電子從去年下半年開始生產(chǎn)”V-NAND”以來，憑借著自行開發(fā)的固態(tài)硬盤控制芯片，縮短整合控制芯片與NAND Flash芯片的時效，并且充分發(fā)揮3D-NAND Flash適合高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢，透過以堆棧24層所組成的128Gb芯片，目標(biāo)直接揮軍服務(wù)器等級固態(tài)硬盤，并且在去年第四季開始已陸續(xù)送樣給服務(wù)器業(yè)者或是數(shù)據(jù)中心制造商進行測試，因此三星電子目前在3D-NAND Flash應(yīng)用進度領(lǐng)先其他業(yè)者，而三星的V-NAND制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的中國西安廠為主。

而開發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)”BiCS”的東芝與SanDisk陣營同樣也展現(xiàn)明顯的企圖心。該陣營的3D-NAND Flash產(chǎn)品將從今年第二季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前能夠順利銜接現(xiàn)有1Y與1Z奈米技術(shù)，而為了后續(xù)3D-NAND Flash的量產(chǎn)鋪路，東芝和SanDisk所共同投資位于日本三重縣四日市的第五號半導(dǎo)體制造廠第二期工程擴建計劃也預(yù)計今年第三季完工，自今年第四季起可順利進入規(guī)?；a(chǎn)。

另一方面，SK海力士與美光、英特爾陣營也明確宣告各自3D-NAND Flash的藍圖將接棒16奈米，計劃將在今年第二季左右可送樣測試，最快將在第四季進入量產(chǎn)。因此，雖然2014年多數(shù)廠商的3D-NAND Flash進展多半停留在送樣階段，TrendForce預(yù)期2014年3D-NAND Flash產(chǎn)出比重僅有3%，然而3D-NAND Flash的開發(fā)速度確實有超乎預(yù)期的進展，隨著廠商在2015年將開始量產(chǎn)3D-NAND的局勢來看，預(yù)期在經(jīng)過2014年的軍備競賽后，2015年3D-NAND Flash市占率將可提升至20%以上，隨著3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash單位成本將呈等比級數(shù)下滑，屆時儲存容量性價比將可有效提升。