海力士、SanDisk、美光相繼推出3D閃存

三星電子率先量產(chǎn)了3D垂直堆疊的NAND閃存，并宣布了基于它的首款固態(tài)硬盤，而在日前的閃存峰會上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D閃存技術(shù)。

還是首先看看三星的吧。

現(xiàn)在已經(jīng)能夠做到24層堆疊，單顆容量128Gb(16GB)，并計(jì)劃2017年左右做到單顆1Tb(128GB)。

全球首款基于3D V-NAND閃存的固態(tài)硬盤，乍一看和普通產(chǎn)品沒啥區(qū)別。

3D閃存達(dá)到同等容量固態(tài)硬盤所需的顆粒更少，而且性能更好(持續(xù)寫入快22%/隨機(jī)寫入快20%)、功耗更低(平均功耗低27%/峰值功耗低45%)。

SK海力士在現(xiàn)場擺放了一塊300毫米的閃存晶圓，正是使用3D堆疊技術(shù)制造的，單顆芯片容量和三星一樣也是128Gb(16GB)，屬于MLC NAND類型。

海力士預(yù)計(jì)2014年第一季度將其投入商用。

海力士的3D閃存晶圓

2D、3D NAND閃存結(jié)構(gòu)對比

SanDisk則是與東芝一起開發(fā)3D NAND，還起了個(gè)自己的名字“BiCS”，不過得到2015年下半年才會投入試產(chǎn)，看起來起步比較晚。

SanDisk表示，屆時(shí)會使用1z nm工藝。

——閃存行業(yè)一般不明確標(biāo)識具體的制造工藝(至少初期)都很模糊，而是使用1x、1y、1z nm等標(biāo)識方法，越往后越先進(jìn)，比如1x目前基本代表19nm，1y應(yīng)該在15nm左右，1z則會非常接近10nm。

SanDisk NAND閃存工藝、技術(shù)路線圖：2013年底到2014年初投產(chǎn)1y nm，2014年底到2015年初投產(chǎn)1z nm，2015年下半年才有3D閃存

3D比較落后，SanDisk就把介紹重點(diǎn)放在了2D閃存上

3D閃存上，SanDisk要落后整整一個(gè)時(shí)代

一直在閃存行業(yè)處于領(lǐng)先地位的美光怎么能少了呢?但是對于3D閃存此番介紹得同樣很模糊，只說會在合適的時(shí)候介紹給大家。

根據(jù)規(guī)劃，美光即將量產(chǎn)16nm閃存工藝，接下來就會推出3D閃存，容量達(dá)256Gb(32GB)，而且還是和Intel合作的。