FinFET改變戰(zhàn)局 臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀提到，今年臺(tái)積電雖屢創(chuàng)季營(yíng)收新高，但第四季因客戶(hù)調(diào)整庫(kù)存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，臺(tái)積電在20奈米(nm)市場(chǎng)仍未看到具威脅性的對(duì)手，可望延續(xù)制程領(lǐng)先腳步，目前已開(kāi)始安裝設(shè)備，明年第一季將如期量產(chǎn)。然而，他也坦言，隨著一線晶圓廠紛紛于2015年進(jìn)入14或16奈米FinFET制程后，臺(tái)積電確實(shí)將面臨更大的競(jìng)爭(zhēng)壓力，特別是來(lái)自三星、英特爾等IDM大廠的威脅力道最劇，必須提早發(fā)動(dòng)因應(yīng)策略。
事實(shí)上，F(xiàn)inFET技術(shù)更復(fù)雜、投資金額也更巨大，晶圓代工廠很難再以孤軍奮戰(zhàn)的策略進(jìn)行研發(fā)，因此臺(tái)積電正如火如荼組織產(chǎn)業(yè)同盟，目前已與益華電腦(Cadence)、明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)等EDA工具商，以及安謀國(guó)際(ARM)和Imagination等IP業(yè)者達(dá)成共識(shí)，未來(lái)將共同在臺(tái)積電開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)上挹注創(chuàng)新技術(shù)能量，加速優(yōu)化16奈米FinFET制程。張忠謀認(rèn)為，產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟重要性在于相互融合不同廠商的長(zhǎng)處，以研制最出色的制程解決方案，這將是臺(tái)積電與IDM較勁最關(guān)鍵的優(yōu)勢(shì)。
除聯(lián)合異業(yè)夥伴共同出擊外，張忠謀也透露，臺(tái)積電在今明兩年都將以95～100億美元的高額資本支出，不斷擴(kuò)充FinFET研發(fā)團(tuán)隊(duì)和產(chǎn)能，現(xiàn)已與大客戶(hù)展開(kāi)合作，搶先掌握許多16奈米FinFET設(shè)計(jì)定案(Tape Out)。
此外，臺(tái)積電也緊鑼密鼓投入再下一代的10奈米FinFET制程布局，避免在任何新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展被對(duì)手超前。據(jù)悉，該公司與艾司摩爾(ASML)共同投入研發(fā)次世代極紫外光(EUV)微影技術(shù)，已逐步進(jìn)入收割階段，可望在2017年正式用于10奈米晶圓，大幅提高吞吐量與生產(chǎn)效率。
張忠謀強(qiáng)調(diào)，在FinFET時(shí)代，臺(tái)積電以晶圓代工廠的定位與IDM角逐市場(chǎng)還算有競(jìng)爭(zhēng)力，但比較辛苦;若以產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟的方式將非常有競(jìng)爭(zhēng)力，有信心能提供更完整的制程服務(wù)和更高品質(zhì)的晶片。