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[導(dǎo)讀]據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli于7日公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),三星電子今年第一季度NAND閃存銷售額達(dá)到20.32億美元。該公司單季度的NAND閃存銷售額超過(guò)20億美元是2011年第三季度以來(lái)的首次。三星在NAND閃存市場(chǎng)的份額達(dá)38.5%,穩(wěn)居第

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli于7日公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),三星電子今年第一季度NAND閃存銷售額達(dá)到20.32億美元。該公司單季度的NAND閃存銷售額超過(guò)20億美元是2011年第三季度以來(lái)的首次。
三星在NAND閃存市場(chǎng)的份額達(dá)38.5%,穩(wěn)居第一。日本東芝排名第二位,銷售額達(dá)17.1億美元(32.4%),美國(guó)美光科技(Micron Technology)為9.02億美元(17.1%),SK海力士為6.38億美元(12.1%)。有分析稱,三星電子去年11月生產(chǎn)10納米級(jí)64GbNAND閃存,今年4月還批量生產(chǎn)10納米級(jí)128GbNAND閃存,在10納米級(jí)閃存方面處于領(lǐng)先地位。

iSuppli預(yù)計(jì),三星電子10納米級(jí)NAND閃存的比重將從第一季度的9.5%增加到第二季度45.3%,明年第四季度升至99%。東芝10納米級(jí)NAND閃存比重將從第三季度的3.5%提高到明年第四季度的74.5%。SK海力士10納米級(jí)NAND閃存比重將從第三季度的1.3%提高到明年第四季度的67%。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程從20納米轉(zhuǎn)為10納米級(jí),意味著半島體芯片大小減少到一半,隨之一張硅片生產(chǎn)的芯片數(shù)量翻一番,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力得到增強(qiáng)。業(yè)內(nèi)人士稱,三星電子在NAND閃存領(lǐng)域比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手領(lǐng)先一年左右,預(yù)計(jì)其市場(chǎng)地位會(huì)進(jìn)一步得到鞏固。
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