東芝Fab 5新廠激活用于3D NAND閃存生產(chǎn)

這項(xiàng)工程預(yù)計(jì)將在2014年夏天完成，東芝強(qiáng)調(diào)，目前尚未決定任何設(shè)備投資等細(xì)節(jié)，但未來將視市場(chǎng)動(dòng)向而定。這表示東芝為該新廠的資本支出規(guī)模與速度，將取決于市況而調(diào)整。

在2012年7月，東芝曾經(jīng)因考慮到市場(chǎng)供過于求以及芯片降價(jià)壓力，因而削減30%的 NAND 閃存產(chǎn)量。然而，在不到六個(gè)星期的時(shí)間，NAND閃存的一些客戶們就開始抱怨內(nèi)存芯片不足，而多年來持續(xù)降價(jià)的NAND芯片在2013年開始止跌回升。此外，日?qǐng)A走軟也讓東芝較三星和SK海力士等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手取得更佳優(yōu)勢(shì)。

Fab5廠的第二期工程將更強(qiáng)調(diào)減少對(duì)于環(huán)境的影響。相較于同樣位于四日市的Fab 4廠，F(xiàn)ab5廠采用余熱回收等基于 LED照明和節(jié)能的生產(chǎn)方式，可望降低13%的二氧化碳排放量。

Fab5廠第2期工程預(yù)計(jì)在裝機(jī)后，可望執(zhí)行東芝多層 BICS (位成本可擴(kuò)展的) 3D NAND 內(nèi)存制造制程。雖然這種技術(shù)目前尚未量產(chǎn)，但東芝將能主導(dǎo) 3D NAND 制造地位。2012年底，該公司曾宣布開發(fā)出基于50nm垂直信道的16層原型設(shè)備，今年已可提供樣片，并預(yù)計(jì)在2015年量產(chǎn)。