中芯與燦芯40LL雙核ARM Cortex-A9測試達(dá)預(yù)期目標(biāo)

中芯國際集成電路制造有限公司和IC設(shè)計公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱燦芯半導(dǎo)體）近日宣布采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9 MPCore雙核芯片測試結(jié)果達(dá)到1.3GHz。

該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARM NEON、調(diào)試和追蹤的ARM CoreSight等等， 另外還透過AMBA? AXI總線集成了內(nèi)建SRAM與DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等等介面。除了高速標(biāo)準(zhǔn)單元庫以外，該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫（SMIC Performance Enhancement Kit）以提高性能。

中芯國際首席商務(wù)長季克非表示：燦芯半導(dǎo)體在短短幾個月內(nèi)，就能達(dá)成此預(yù)定目標(biāo)，證明了燦芯半導(dǎo)體在技術(shù)上與國際先進(jìn)水平相當(dāng)，同時也證明了中芯國際工藝的穩(wěn)定度和市場領(lǐng)導(dǎo)地位。我們?nèi)焦餐献魈峁┑?0LL綜合平臺，不僅能縮短客戶產(chǎn)品的上市周期，而且可以減低客戶在先進(jìn)技術(shù)設(shè)計上開發(fā)的風(fēng)險。今天，這個里程碑式的合作再次證明了我們竭誠為客戶提供行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)的決心。 中芯國際將繼續(xù)加強(qiáng)先進(jìn)工藝技術(shù)的開發(fā)，為高性能的消費(fèi)類電子產(chǎn)品提供極具競爭力的解決方案。

燦芯半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官職春星博士指出：ARM Cortex-A9雙核測試芯片的實(shí)測結(jié)果達(dá)到了我們的預(yù)期目標(biāo)，這證明燦芯半導(dǎo)體在技術(shù)上完全有實(shí)力達(dá)到目前業(yè)界需求。此外，我們很快將在同一工藝上開始下一顆A9測試芯片的流片，而這顆芯片將達(dá)到更高的性能。燦芯半導(dǎo)體致力于為客戶提供最先進(jìn)的平臺和解決方案，我們也一直在朝這個目標(biāo)努力，相信在中芯國際、ARM以及其他合作伙伴的支持下，必將實(shí)現(xiàn)我們的目標(biāo)，為客戶帶來巨大價值！

ARM中國區(qū)總裁吳雄昂說：來自燦芯半導(dǎo)體、中芯國際和ARM持續(xù)不斷的緊密合作所達(dá)成的里程碑是產(chǎn)業(yè)絕佳范例，展示出我們?nèi)绾喂餐献魍脐惓鲂?，推動下一代智能連網(wǎng)設(shè)備的核心技術(shù)！ARM相當(dāng)重視與燦芯半導(dǎo)體及中芯國際的合作關(guān)系，并承諾將通過基于ARM架構(gòu)的技術(shù)，為我們共同的客戶提供最先進(jìn)的設(shè)計與生產(chǎn)平臺，進(jìn)而符合他們在功耗、性能與上市周期的需求。