左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

時間：2012-08-17 09:50:34

關鍵字： ARM 格羅方德 IP FINFET

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[導讀]繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
格羅方德全球行銷暨業(yè)務執(zhí)行副總裁MikeNoonen認為，格羅方德20奈米LPM技術極具成本效益，且相較于28奈米，可提升40%效能及兩倍閘極密度。
ARM執(zhí)行副總裁暨處理器部門與實體矽智財(IP)部門總經(jīng)理SimonSegars表示，此次合作將同步優(yōu)化ARM與格羅方德技術，為智慧型手機、平板裝置與個人電腦提供高效能ARM處理器。在雙方密切配合之下，也將加速開發(fā)新世代20奈米低耗電(LPM)與FinFET制程技術，確?？蛻裟塬@得多種實作選項，順利將半導體發(fā)展往前推進兩個世代。
事實上，ARM不久前才與全球晶圓代工龍頭--臺積電延續(xù)20奈米先進制程合作計劃，針對ARMv8架構下的新一代64位元ARM處理器、Artisan實體IP及FinFET制程技術進行最佳化，以應用于要求性能與節(jié)能兼具的高階行動裝置、企業(yè)級伺服器。
未屆一個月，ARM旋即又與格羅方德攜手，著手開發(fā)完整Artisan實體IP平臺，包含StandardCell、記憶體編譯器和封裝堆疊(PoP)IP解決方案等，可見其積極鞏固行動市場地位、防堵英特爾(Intel)后來居上，并擴展個人電腦與企業(yè)級設備版圖的雄心。
格羅方德全球行銷暨業(yè)務執(zhí)行副總裁MikeNoonen強調(diào)，ARM技術已整合至全球許多產(chǎn)量最高的行動裝置中，在今后數(shù)年內(nèi)的重要性只會不斷提高。因此，藉由格羅方德先進制程知識，結合低功耗ARM中央處理器(CPU)和GPU核心架構，將為雙方未來開辟行動裝置市場版圖，帶來絕佳競爭優(yōu)勢。
據(jù)了解，格羅方德已致力打造ARMCortex-A系列處理器數(shù)年，包含一系列28奈米制程方案，以及現(xiàn)正于紐約Malta晶圓廠實作的20奈米測試晶片。新合約將延續(xù)既有成果，進一步推動IP平臺生產(chǎn)，并助力客戶迅速轉移至三維(3D)FinFET電晶體，開發(fā)更具前瞻性的ARM架構處理器，以便在智慧型手機、平板裝置與超薄筆電中，實現(xiàn)更優(yōu)異的系統(tǒng)效能和電源效率。