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[導(dǎo)讀]DIGITIMES指出,2012年第1季日廠東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收較2011年第4季成長(zhǎng)15.6%,為2,562億日?qǐng)A(約32億美元),已步出2011年第4季營(yíng)收谷底。不僅如此,營(yíng)益率也自2011年第4季0.9%上揚(yáng)至6.1%,除日?qǐng)A匯率升值暫告

DIGITIMES指出,2012年第1季日廠東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收較2011年第4季成長(zhǎng)15.6%,為2,562億日?qǐng)A(約32億美元),已步出2011年第4季營(yíng)收谷底。不僅如此,營(yíng)益率也自2011年第4季0.9%上揚(yáng)至6.1%,除日?qǐng)A匯率升值暫告一段落外,獲利能力較佳的存儲(chǔ)器產(chǎn)品占營(yíng)收比重攀升,讓產(chǎn)品組合改善亦是主因。

東芝半導(dǎo)體事業(yè)涵蓋存儲(chǔ)器、系統(tǒng)LSI (Large Scale IC)及離散元件(Discrete) 3項(xiàng)產(chǎn)品線。2012年第1季東芝以NAND型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)為主要產(chǎn)品的存儲(chǔ)器營(yíng)收回升至2010年第1季以來(lái)僅次于2011年第1季(1,629億日?qǐng)A)的次高水平,達(dá)1,562億日?qǐng)A,表現(xiàn)相對(duì)優(yōu)于以模擬/影像IC為主的系統(tǒng)LSI,及以功率半導(dǎo)體等產(chǎn)品為主的離散元件。

2012年第1季東芝雖NAND Flash營(yíng)益率小幅下滑至12%,但仍為半導(dǎo)體3大產(chǎn)品線最高者,因東芝來(lái)自存儲(chǔ)器營(yíng)收顯著成長(zhǎng),且占其半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收比重為2010年第1季以來(lái)首次逾6成,在產(chǎn)品組合改善下,有利東芝半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)益率自2011年第4季0.9%回升至2012年第1季6.1%。

2011日本會(huì)計(jì)年度(以下簡(jiǎn)稱年度,即2011年4月至2012年3月)東芝因3大半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)收均較2010年度衰退,其半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收較2010年度衰退14%,為9,802億日?qǐng)A,東芝預(yù)測(cè)2012年度半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收將為1.08兆日?qǐng)A,且將以營(yíng)業(yè)利益870億日?qǐng)A與營(yíng)益率8.1%為目標(biāo)。

依東芝預(yù)測(cè)2012年度半導(dǎo)體事業(yè)產(chǎn)品別營(yíng)收觀察,存儲(chǔ)器將為5,800億日?qǐng)A,將僅次于2010年度水平,且將較2011年度成長(zhǎng)5.6%,而系統(tǒng)LSI與離散元件將分別為3,000億日?qǐng)A與2,000億日?qǐng)A,均可望步出2011年度營(yíng)收谷底,年成長(zhǎng)率將分別為14.3%與18.9%。

東芝因存儲(chǔ)器獲利能力優(yōu)于系統(tǒng)LSI與離散元件,將以2012年度NAND Flash營(yíng)益率達(dá)15%為目標(biāo),并盡早達(dá)成系統(tǒng)LSI與離散元件轉(zhuǎn)虧為盈,該公司預(yù)測(cè)2012年度存儲(chǔ)器占其半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收比重將連續(xù)第3年逾5成,意味東芝將以改善產(chǎn)品組合為重點(diǎn),以朝2012年度半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)益率8.1%目標(biāo)邁進(jìn)。

1Q’10~1Q’12東芝半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)業(yè)利益與營(yíng)益率變化
T<strong><strong>os</strong></strong>hiba Q1贏利為何能創(chuàng)下5年新高?
資料來(lái)源:東芝,DIGITIMES整理,2012/5
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