制程技術(shù)向7nm大躍進(jìn)，3D IC硬著頭皮也要上

GlobalFoundries 公司正在仔細(xì)考慮其 20nm 節(jié)點的低功耗和高性能等不同制程技術(shù)，而在此同時，多家芯片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進(jìn)一步往 7nm 節(jié)點發(fā)展的途徑。

IBM 的專家指出，下一代的20nm節(jié)點可支持最佳化的低功耗和高性能制程技術(shù)。而 GlobalFoundries 將在今年八月決定，是否提供這些不同的制程選項。

這些僅僅是今年度 GSA Silicon Summit 上討論的兩個焦點。與會的芯片業(yè)高層還討論了預(yù)計在2014年到來，但仍面臨諸多挑戰(zhàn)的 3D IC ，以及腳步緩慢但仍然預(yù)見可朝 7nm 邁進(jìn)的 CMOS 微縮技術(shù)。

“臺積電最近表示其 20nm 節(jié)點在制程最佳化方面并沒有顯著差異，但我并不這么認(rèn)為，” IBM 院士暨微電子部門首席技術(shù)專家Subramanian Iyer說?！拔蚁嘈牛谙嗤墓?jié)點上，你可以擁有兩種不同的制程，”他在主題演講中表示。

事實上， GlobalFoundries 正在考慮是否是在為 20nm 提供高性能和低功耗制程。

“我們?nèi)栽谂c主要客戶討論該做些什么，針對性能和功耗方面，可能要做出更多取舍，” GlobalFoundries 先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri表示。

他指出， 20nm 的變化空間可能相對更加狹小，而且從經(jīng)濟(jì)面來看也未必可行。IBM的Iyer則認(rèn)為，臺積電決定僅提供一種20nm制程，其經(jīng)濟(jì)面的考量可能多于技術(shù)面。

接下來，采用FinFET的14nm制程，則將為芯片產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)更大的機(jī)會，如提供0.9V的高性能版本，以及0.6V的低功耗變種制程等。此外，與傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移到一個新制程節(jié)點相較，14nm節(jié)點可提供的利益也預(yù)估將高出兩倍之多。

從歷史角度來看，要為每一個節(jié)點提供不同制程變化，都會需要在基礎(chǔ)制程上添加獨特且復(fù)雜的特性，IBM的Iyer說。他指出，過去，我們在每一代制程節(jié)點都擁有不同功能的制程，現(xiàn)在不大可能驟然讓它們完全消失。

20nm仍有變化空間，Subramanian Iyer說。