2012年DRAM供給增長遠小于2011年

DIGITIMES報告稱，從2011年DRAM報價表現(xiàn)觀察，延續(xù)2010年下半以來供過于求陰霾未減，讓DRAM報價表現(xiàn)始終處于易跌難漲態(tài)勢，加上導因于歐債問題延宕未決，歐盟亦未能提出具體有效解決方案，造成全球景氣能見度大幅下降，亦讓來自PC市場對DRAM需求頓時減弱，加大DRAM報價持續(xù)下修壓力。

從供給面觀察，雖包括爾必達(Elpida)、南亞科技(Nanya)等存儲器制造商于2011年下半相繼減產(chǎn)，力晶(PSC)更是以降低來自DRAM業(yè)務營收為策略目標，并朝向晶圓代工與中低階快閃存儲器制造等業(yè)務轉(zhuǎn)型，就連存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子(Samsung Eletronics)也將原本用于生產(chǎn)存儲器產(chǎn)能Line 14、Line 9、Line 8等產(chǎn)能轉(zhuǎn)到晶圓代工業(yè)務。

然而，三星于2010年5月開始興建月產(chǎn)能20萬片12寸晶圓、用于生產(chǎn)DRAM與NAND Flash等存儲器產(chǎn)品的Line 16已于2011年9月正式投產(chǎn)，加上各DRAM廠商為提升成本競爭力，亦持續(xù)提高先進制程比重，這也造成全球DRAM產(chǎn)業(yè)雖有產(chǎn)能陸續(xù)退出與轉(zhuǎn)型，但來自三星Line 16新增產(chǎn)能與各DRAM廠商制程升級所增加產(chǎn)能，仍讓DRAM市場供給量緩步增加。在需求成長力道減弱的情況下，亦讓自2010年下半以來全球DRAM市場供過于求狀況始終未見改善。

以2011年主流規(guī)格DRAM產(chǎn)品1333MHz 2Gb DDR3報價為例，現(xiàn)貨價于2011年2月見到2.26美元后便一路下跌，期間雖歷經(jīng)日本311地震，DRAM市場亦曾出現(xiàn)上游原料矽晶圓缺料疑慮，但2Gb DDR3現(xiàn)貨價僅從1.99美元反彈至2.15美元，在歷經(jīng)2個營業(yè)日短暫反彈后重回下跌態(tài)勢，至2011年11月下旬，2Gb DDR3現(xiàn)貨價僅剩下0.71美元，與2.26美元高點相較，最大跌幅高達近7成。

而自2011年11月下旬，在爾必達與南亞科技減產(chǎn)效應發(fā)酵，讓DRAM現(xiàn)貨價跌勢趨緩，甚至還出現(xiàn)小幅度的拉升，然而，在來自PC應用需求持續(xù)疲的預期下，預期標準型DRAM合約價與現(xiàn)貨價仍有向下修正的空間。

展望2012年，在歐債問題懸而未決、全球景氣充滿不確定性的情況下，預期DRAM價格表現(xiàn)仍將相對保守，各DRAM廠除面對虧損擴大的風險外，保有現(xiàn)金部位將是當務之急，這也使得除三星外的主要DRAM廠在產(chǎn)能擴充的腳步都顯得相當保守。

另一方面，亦導因于DRAM價格持續(xù)下跌，各DRAM廠商無不以提升成本競爭力為首要策略，包括美光、南亞科技、華亞科、爾必達等DRAM大廠皆紛紛往以30納米為主次世代先進制程升級，易言之，2012年全球DRAM供給量的增加主因來自于先進制程升級所增加產(chǎn)能，新增產(chǎn)線擴充則相當有限，這也將使得2012年DRAM供給量成長力道遠低于2011年，亦將有機會讓于2010年下半以來全球DRAM市場供過于求的狀況獲得改善。

2011年以來 2Gb DDR3現(xiàn)貨價與合約價變化

資料來源：DIGITIMES，2011/12