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“非易失性存儲器”作為新一代國際公認(rèn)存儲技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國際先進(jìn)水平。

與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中芯國際、micro－chip是產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的團(tuán)隊，一直致力于研究我國自主的相變存儲芯片和存儲產(chǎn)品。

據(jù)中科院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員介紹，由上海微系統(tǒng)所、中芯國際和micro－chip組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經(jīng)取得突破性進(jìn)展，研制出8Mb測試芯片，并實(shí)現(xiàn)全部存儲功能，8英寸整片Bit優(yōu)良率超過99%，開發(fā)出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實(shí)現(xiàn)了工藝集成和相關(guān)功能的演示，并建立了8英寸整片測試系統(tǒng)。

在此基礎(chǔ)上，上海微系統(tǒng)所與中芯國際建立了12英寸專用PCRAM平臺。12英寸40納米相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)也取得了重要進(jìn)展，完成了第一版芯片的設(shè)計，并進(jìn)入關(guān)鍵的工藝開發(fā)；初步完成了尺寸為60－70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開發(fā)。

第十一屆非易失性存儲器國際研討會由國際電子電氣工程師學(xué)會主辦，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所和新加坡數(shù)據(jù)存儲研究院共同承辦，是國際非易失性存儲器領(lǐng)域第一次在中國召開的權(quán)威會議。來自美國、法國、德國、西班牙、俄羅斯等10個國家和地區(qū)200多位專家學(xué)者和業(yè)內(nèi)人士參加了此次會議。在為期三天的會議期間將舉行10場大會報告和交流報告，圍繞非易失性存儲器領(lǐng)域的最新發(fā)展進(jìn)行學(xué)術(shù)交流和研討。