ST創(chuàng)新類比放大器獲QML V認(rèn)證

意法半導(dǎo)體新推出四款獲得QML V官方認(rèn)證的放大器晶片 RHF484, RHF310, RHF330, RHF350。新的抗輻射類比元件強(qiáng)化了抗輻射性能，在已發(fā)現(xiàn)的惡劣太空環(huán)境中能夠正常運(yùn)作，確保設(shè)備具有更長的耐用性。

意法半導(dǎo)體的抗輻射類比晶片均采用BICMOS制程，擁有極低的功耗。在法國國家太空研究中心(Centre National d’Etudes Spatiales、CNES)的大力支持下，這些元件通過測試后直接進(jìn)入歐洲產(chǎn)品目錄(EPPL) 。

新產(chǎn)品包括四款晶片： RHF484, RHF310, RHF330, RHF350 。 RHF484是由4個(gè)RHF43B組成的4路運(yùn)算放大器，可替代工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器晶片，采用Flat-14W封裝，2011年通過QML V認(rèn)證。

RHF310和RHF330是超低功耗5V運(yùn)算放大器，是各種訊號調(diào)節(jié)應(yīng)用的理想選擇。120MHz和1.0GHz兩個(gè)型號已取得QML V證書。另一款產(chǎn)品550 MHz RHF350預(yù)計(jì)于2011年第四季通過認(rèn)證。

意法半導(dǎo)體以300 krad(Si)的標(biāo)準(zhǔn)抗離子化輻射能力(總離子化劑量測試，簡稱TID)，包括抗低速率輻射測試，而成為航太工業(yè)的半導(dǎo)體元件抗輻射參考標(biāo)準(zhǔn)。無強(qiáng)化型低劑量速率敏感效應(yīng)(ELDRS-free)晶片讓意法半導(dǎo)體成為首家獲得抗輻射保證(RHA)認(rèn)證的半導(dǎo)體供應(yīng)商。

透過推出無單一事件鎖定(Single Event Latch-up，SEL)效應(yīng)和單一事件錯(cuò)誤中斷測試(Single Event False Interrupt，SEFI)效應(yīng)的元件，意法半導(dǎo)體擁有市場上最高的抗離子化輻射能力，將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術(shù)提高至新一層級。在這些新產(chǎn)品中，意法半導(dǎo)體引領(lǐng)市場的先進(jìn)技術(shù)還包括單一事件瞬態(tài)(Single Event Transients，SET)保護(hù)功能。單一事件瞬態(tài)現(xiàn)象是重離子引起的瞬間錯(cuò)誤，是航太類比元件必須克服的一大挑戰(zhàn)。

意法半導(dǎo)體的航太領(lǐng)域類比元件在設(shè)計(jì)方面特別關(guān)注單一事件瞬態(tài)效應(yīng)，并經(jīng)過了全面的特征化分析，擁有瞬間錯(cuò)誤脈沖的低振幅，時(shí)間短的特性。