爾必達(dá)樣品供貨采用8Gbit DDR3 SDRAM

爾必達(dá)存儲(chǔ)器宣布，開始樣品供貨采用TSV（Through Silicon Via，硅貫通孔）技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合（Wire Bonding）技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM（Small-Outline Dual Inline Memory Module）相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦（PC）等節(jié)省耗電量、實(shí)現(xiàn)小型化和薄型化。

據(jù)爾必達(dá)介紹，如果采用此次的封裝產(chǎn)品，與SO-DIMM相比工作時(shí)的耗電量可削減約20％，待機(jī)時(shí)和更新時(shí)均可削減約50％。封裝面積方面，配備 2GB（16Gbit）時(shí)，SO-DIMM為67.6mm×30.0mm，此次配備兩個(gè)11.0mm×15.0mm的封裝即可。由此，封裝面積可削減約 70％。另外，還具有可省去DIMM槽、削減封裝高度等優(yōu)點(diǎn)。耗電量降低、封裝面積減小的原因是，采用TSV后用來連接芯片的布線長度會(huì)變短。據(jù)爾必達(dá)介紹，布線長度變短后，寄生電阻和寄生容量會(huì)降低，從而可以削減耗電量，還可以減小布線所需要的封裝面積。

爾必達(dá)存儲(chǔ)器正在發(fā)力制造以智能手機(jī)和平板終端為代表的移動(dòng)產(chǎn)品中使用的DRAM。作為其中一個(gè)環(huán)節(jié)，爾必達(dá)一直在大力開發(fā)TSV技術(shù)，這是一項(xiàng)削減移動(dòng)產(chǎn)品用DRAM耗電量和封裝面積的重要技術(shù)。此次樣品供貨采用TSV、32bit輸入輸出的8Gbit DR3 SDRAM，也是為了順應(yīng)這一發(fā)展趨勢。