Z-RAM始祖關(guān)門大吉，美光受益

成立于2002年的Innovative Silicon公司，開發(fā)了一種稱為Z- RAM的浮體單晶體管存儲技術(shù)，當(dāng)時它宣稱比傳統(tǒng)DRAM更好。然而今天，公司已經(jīng)關(guān)門大吉。

公司即將卸任的首席營運官Michael Van Buskirk，在他的LinkedIn的個人狀態(tài)上寫到 “Innovative Silicon公司的主要銷售和技術(shù)人員：舉行認(rèn)購法人大會，以便加快資產(chǎn)和人員的轉(zhuǎn)移?！?BR>
但Van Buskirk并沒有提到誰買下了公司，不過有跡象表明，美光科技公司（美國愛達(dá)荷州，博伊西）至少是其中一個主要受益者。

這家私人持有，有風(fēng)險投資支持的公司，由Pierre C. Fazan和Serguei Okhonin于2002年在瑞士洛桑創(chuàng)立，隨后在加州的圣克拉拉設(shè)立總部。

目前兩個公司的網(wǎng)站已經(jīng)不能訪問，聯(lián)系電話無法接通。但是這兩個網(wǎng)站的網(wǎng)址，都已經(jīng)注冊到美光名下。

此外，Innovative Silicon前任首席技術(shù)官和主席Fazan，在LinkedIn社交網(wǎng)站上的身份是美光科技比利時微電子研究中心的工程經(jīng)理，公司位于比利時勒芬。他這一身份自2010年9月就被公布了。

Z-RAM棄SOI，取垂直雙柵浮體而代之

Innovative Silicon的前首席科學(xué)官Okhonin，是ActLight的創(chuàng)始人。

Z-RAM技術(shù)最初是基于硅絕緣體（SOI）晶圓的，這種晶圓比體CMOS晶圓更昂貴，并且尚未成為行業(yè)主流。

事實上，Van Buskirk自己證明了最初的Z-RAM技術(shù)“既不可擴(kuò)展也不可靠”，并與同事們共同開發(fā)了替代的體硅技術(shù)，也就是該公司后來開發(fā)的一種適合于體硅獨立存儲器應(yīng)用的低電壓浮體DRAM存儲單元。

Innovative Silicon和 Hynix Semiconductor在2009年的VLSI技術(shù)研討會（VLSI Technology Symposium）上，聯(lián)合發(fā)表了基于體硅的Z-RAM論文；在2010年的VLSI技術(shù)研討會上，發(fā)表了另一篇關(guān)于垂直雙柵浮體的Z-RAM存儲單元的論文。

目前還不清楚美光或Hynix 是否會繼續(xù)研究垂直雙柵浮體Z-RAM技術(shù)。

Innovative Silicon獲得了三輪風(fēng)險投資，這為他們總共募集了4,700萬美元，投資機(jī)構(gòu)包括：Auriga Partners、Index Ventures、Highland Capital Partners、Austin Ventures和 Wellington Partners?？磥?strong>美光可能已經(jīng)獲得了Innovative Silicon的相關(guān)專利。