國際領先的0.18微米BCD工藝平臺在華虹NEC進入量產(chǎn)

時間：2010-12-29 11:58:34

關鍵字： BCD NEC 華虹微米

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[導讀]世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領先地位的0.18微米BCD（Bipolar CMOS DMOS）--BCD180工藝技術進入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺是華虹NEC針對數(shù)字電源、電機驅動、

世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領先地位的0.18微米BCD（Bipolar CMOS DMOS）--BCD180工藝技術進入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺是華虹NEC針對數(shù)字電源、電機驅動、音頻功放、LED驅動、電池保護和高端電源管理等新興應用而開發(fā)的，具有高集成度、低功耗、低開啟電阻、多樣工藝選項和可編程等優(yōu)點，極大地方便客戶選擇，為客戶提供更多的價值。
作為國內(nèi)首家提供0.35微米BCD和CDMOS量產(chǎn)工藝平臺的代工廠，華虹NEC積累了豐富的BCD工藝技術的開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。基于量產(chǎn)五年以上的成熟的0.18微米邏輯CMOS工藝，結合自身積累的BCD技術，華虹NEC進一步開發(fā)了具有國際先進水平的0.18微米BCD量產(chǎn)平臺，性能指標達到國際先進水平，由此成為國內(nèi)首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.18微米BCD量產(chǎn)工藝的代工廠之一。
該工藝平臺配備了業(yè)界標準的1.8V/5V的數(shù)?；旌螩MOS技術，有助于減少設計人員開發(fā)和驗證邏輯電路的時間，從而減少開發(fā)周期。精心設計的高功率LDMOS具有世界先進水平的低導通電阻和柵寄生電容，其最大工作電壓可達40V，主要面向模擬和高速開關應用，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠度，開關速度更快，能量轉化效率更高，安全工作區(qū)更廣。
“BCD 180提供了垂直的NPN，水平的PNP和襯底PNP三種雙極型器件，來簡化客戶的設計并且更具有靈活性，獨特設計的LDMOS提高了客戶的競爭力，同時配備了一系列可選器件如高精度的電阻、高密度的電容及一次與多次可編程存儲器(OTP/MTP)等供客戶選用?！比A虹NEC副總裁兼首席技術官梅紹寧博士表示，“為滿足日益增長的電源管理芯片市場需求，華虹NEC成功開發(fā)了0.18微米 BCD技術平臺，以期為高端電源管理SOC芯片提供最佳代工解決方案。公司將繼續(xù)深耕模擬領域，不斷提高技術水平，致力成為BCD領域的領航者。”