日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(SamsungElectronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應用于服務器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。
爾必達22日指出，將正式推出4GbDDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保風，4GbDDR3芯片新產(chǎn)品與上一代2Gb的DDR3相比較，可節(jié)省30%的耗電量。
爾必達進一步表示，這項4GbDDR3芯片新產(chǎn)品最高容量可用于32GB內(nèi)存模塊，初期應用領域是在服務器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，其他應用范圍還包括消費性電子、個人計算機(PC)、游戲機等，而用于大型系統(tǒng)時，其省電的特性即更能淋漓發(fā)揮。
爾必達計劃于2010年第2季試產(chǎn)4GbDDR3芯片，緊接著預計第3季可步入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品線會于日本廣島廠生產(chǎn)。
目前臺系合作廠商包括力晶、瑞晶和茂德都是以63納米制程生產(chǎn)1Gb的DDR3芯片，待下半年45納米制程量產(chǎn)后，將會開始生產(chǎn)2Gb容量的DDR3芯片。
三星電子也搶先在3月底推出采用40納米制程DDR3芯片制成的32GB內(nèi)存模塊，強調的優(yōu)點是高效能、低耗能，同也樣是以省電和環(huán)保作為訴求之一。
爾必達日前也公布2009年度(2009年4月~2010年3月)財測，成果相當亮麗，正式轉虧為盈，獲利達20億日圓，營業(yè)利益也出現(xiàn)3年來首見獲利，達為260億日圓，主要還是受惠DRAM價格大漲之賜。
2010年爾必達在營運策略上，轉向大力支持PC大廠，主要也是因為新機種的換機需求，會由PC大廠做帶頭示范的作用，因此初期的終端需求都集中在PC身上，目前DRAM缺貨嚴重，預計DRAM缺口會延續(xù)至2010年第3季。
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