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[導(dǎo)讀]海華虹NEC電子有限公司宣布,公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺,成功開發(fā)出面向高性能智能卡、信息安全及微處理器等應(yīng)用的嵌入式EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)解決方案,充分展現(xiàn)了華虹NEC在嵌入式

華虹NEC電子有限公司宣布,公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺,成功開發(fā)出面向高性能智能卡、信息安全及微處理器等應(yīng)用的嵌入式EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)解決方案,充分展現(xiàn)了華虹NEC在嵌入式非揮發(fā)性存儲器(eNVM)技術(shù)上的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新優(yōu)勢。

華虹NEC的0.13微米嵌入式EEPROM是在已有的0.13微米嵌入式Flash平臺上開發(fā)的,實現(xiàn)了Flash和EEPROM的完美兼容,也是目前代工業(yè)界僅有的可以在同一款產(chǎn)品上同時提供Flash和EEPROM的代工工藝,給予客戶設(shè)計時更加靈活的方案選擇,滿足客戶產(chǎn)品的多方面應(yīng)用需求。目前已有多家客戶的數(shù)款社??ê透甙踩顿M卡芯片完成驗證進入量產(chǎn)。

該嵌入式EEPROM能提供的最大存儲容量可以達到1M bit,并且具有設(shè)計功耗更低、面積更小、可靠性更高等優(yōu)點,能夠為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案,從而大幅提升客戶產(chǎn)品的市場競爭力。此外,由于具備良好的兼容性,產(chǎn)品設(shè)計人員可以在原有的0.13微米NVM工藝基礎(chǔ)上,更快速地進行新產(chǎn)品的開發(fā)和導(dǎo)入。

華虹NEC總裁兼首席執(zhí)行官邱慈云表示:“華虹NEC一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,并培養(yǎng)造就了一支具有創(chuàng)新精神的研發(fā)團隊。此次0.13微米嵌入式EEPROM的成功推出,標志著華虹NEC在嵌入式NVM領(lǐng)域取得突破性成果。嵌入式NVM工藝平臺是華虹NEC戰(zhàn)略技術(shù)發(fā)展方向之一,通過多年成功的市場運作積累,華虹NEC確立了在嵌入式NVM的領(lǐng)先地位。華虹NEC將繼續(xù)加強該工藝平臺的發(fā)展,與客戶進行深度合作,在嵌入式NVM領(lǐng)域攜手前進?!?/FONT>

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