美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進(jìn)10納米級(jí)有望

在日前的快閃內(nèi)存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。
有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，還包括了一個(gè)普遍的認(rèn)知：NAND的芯片尺寸微縮已接近尾聲。

不過，在這一片慘淡氣氛中，美光科技(Micron Technology)的內(nèi)存部門副總裁Brian Shirley提出了他對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)未來的不同見解。

Shirley提出的四點(diǎn)看法包括：1. 產(chǎn)業(yè)正在復(fù)蘇；2. NAND仍持續(xù)微縮；3. NAND在新興市場正逐步擴(kuò)展；4. 與普遍的認(rèn)知恰好相反，企業(yè)用戶將采用NAND閃存──這是由于美光正準(zhǔn)備推出稱之為eNAND的全新產(chǎn)品線。

從商業(yè)環(huán)境角度來看，內(nèi)存市場的衰退情況已有所改善?！坝行┤苏J(rèn)為內(nèi)存場在2009年就會(huì)完蛋，但現(xiàn)在看來情況還不算壞，”Shirley對EE Times表示。

首先，在DRAM方面，由于服務(wù)器與其它市場展現(xiàn)出了令人意外的需求，造成了DDR3 SDRAM的短缺。而DDR3的短缺又導(dǎo)致OEM爭相下單DDR2內(nèi)存?！?strong>DDR3一直相當(dāng)吃緊，DDR2亦然，”他說。

NAND 內(nèi)存的價(jià)格與需求也正在改善中。Gartner分析師Joseph Unsworth在一份報(bào)告中指出，稍早前，“幾乎所有密度的NAND現(xiàn)貨價(jià)格都上升了，不過這主要集中8Gb的SLC型產(chǎn)品，這部份展現(xiàn)了最大幅度的價(jià) 格上漲。32Gb的MLC產(chǎn)品價(jià)格則輕微下滑，這部份主要是回跌7月底的漲價(jià)?！鳖A(yù)期返校季節(jié)的需求將持續(xù)提升，而這對消費(fèi)者支出和信心將發(fā)揮重要作用。

無論任何時(shí)候，NAND都會(huì)有新的應(yīng)用，但NAND市場并沒有所謂一體化產(chǎn)品，導(dǎo)致制造商必須針對‘特殊市場’開發(fā)產(chǎn)品，Shirley說。

盡管NAND已經(jīng)是一種通用型商品了。不過，廠商們?nèi)葬槍η度胧健⑿袆?dòng)與相關(guān)市場制定不同產(chǎn)品。美光也透露了該公司專為企業(yè)用戶開發(fā)的eNAND產(chǎn)品，據(jù)稱可為企業(yè)提供所需的可靠度與糾錯(cuò)能力。

除了市場需求與新興應(yīng)用等資料，以及根據(jù)美光表示仍持續(xù)微縮NAND外，目前有關(guān)NAND市場并沒有進(jìn)一步的詳細(xì)情況。部份業(yè)界人士相信，NAND將在2x-nm世代達(dá)到極限，且業(yè)界將出現(xiàn)對于所謂‘通用型內(nèi)存’(universal memory)的需求。

目前，美光與其NAND合作伙伴──英特爾(Intel)已開始出貨34nm的NAND。這兩家公司稍早前推出了每單元線3位(3bit-per-cell line)的34nm NAND閃存。

“說NAND已經(jīng)死亡太夸張了，”Shirley說?！霸?0nm范圍內(nèi)，我們?nèi)钥吹搅肆钊穗y以置信的微縮?！笔聦?shí)上，美光、英特爾計(jì)劃在今年年底推出2x-nm NAND的組件。該組件介于25nm到30nm之間。在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，兩家公司已經(jīng)開發(fā)了20nm以下的組件，他補(bǔ)充道，1x-nm的產(chǎn)品是可行的。