三星電子開(kāi)始供貨采用50nm工藝制造的2Gbit DDR3方式DRAM模塊

韓國(guó)三星電子宣布，已經(jīng)開(kāi)始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面向服務(wù)器。

16GB的模塊以1066Mbit/秒的速度運(yùn)行?？蓪蓚€(gè)插口的CPU服務(wù)器系統(tǒng)的總內(nèi)存容量增至192GB。16GB的RDIMM的驅(qū)動(dòng)電壓為1.35V，與以1.5V電壓工作的GDDR3相比，耗電量可降低約20%。另外，16GB的RDIMM采用由兩個(gè)芯片(Die)構(gòu)成的封裝，因此與采用由四個(gè)芯片構(gòu)成的封裝相比，降低了成本、提高了性能。