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[導讀]過去通常將數(shù)據(jù)通過電荷充電的方式保存,CMOS一直都是電子芯片中的老大。現(xiàn)在美國約翰霍普金斯大學的科學家們提出了一種超低功耗的替代性方案,采用激光利用絕緣體內部的激子(exciton)狀態(tài)對數(shù)據(jù)進行編碼。 若實

過去通常將數(shù)據(jù)通過電荷充電的方式保存,CMOS一直都是電子芯片中的老大?,F(xiàn)在美國約翰霍普金斯大學的科學家們提出了一種超低功耗的替代性方案,采用激光利用絕緣體內部的激子(exciton)狀態(tài)對數(shù)據(jù)進行編碼。

若實驗數(shù)據(jù)能證實這一理論,那么有朝一日基于這一新的光學現(xiàn)象的超低功率計算機將可以通過利用激光將數(shù)據(jù)存儲在晶體絕緣體中。

“目前它還處在理論階段,因此必須通過實驗進行驗證,”美國約翰霍普金斯大學電氣計算機工程系教授Alexander Kaplan表示,“但是如果我們的理論正確,那么我們就可以解決元器件的發(fā)熱問題,從而可以將半導體器件的尺寸做到更小”。

據(jù)Kaplan表示,受激光束照射而生成的特定的、有限原子格或原子數(shù)組、分子或量子點可以生成不受傳統(tǒng)的Lorentz(勞倫茨)-Lorenz(勞倫茲)理論限制的納米層。從信息的角度來看,該理論(Lorentz-Lorenz理論)禁止對絕緣體內部原子的局部狀態(tài)編碼。Kaplan稱,其所領導的研究小組已找到了一種定制絕緣體內部納米結構的方法,從而可實現(xiàn)利用絕緣體存儲數(shù)據(jù)和感知存儲狀態(tài)。

依Kaplan的計劃,激光所需的功耗相對較低,并且可以使晶狀原子格中固有的局域、束縛電子生成不同激發(fā)態(tài),那么就可以利用激光來產(chǎn)生非線性模式的激發(fā)態(tài)。

實質上研究人員提出的是原子級的光學雙穩(wěn)態(tài)。在激光控制讀取或寫入數(shù)據(jù)的情況下,本地激子(local exciton)的激發(fā)過程不需要電流,因此可以實現(xiàn)超低功耗的納米級存儲單元或邏輯器件。

本地激子的不足之處是它們僅能提供動態(tài)存儲功能,這點和掉電時數(shù)據(jù)會全部丟失的易失性電子存儲器一樣,一旦關掉激光源,則本地激子消失、原子格內的原子變回基態(tài)。

Kaplan 表示,“即使這樣,絕緣體存儲器也不會比普通的、要保持數(shù)據(jù)就不能斷電的電子器件(像現(xiàn)在使用的隨機存取存儲器和邏輯器件)更糟糕”。

這項技術還可通過利用線性模式下的新型架構(designer structure)實現(xiàn)靈敏度達原子級的傳感器。新型原子格(Designer lattice)可采用特定類型的、可針對環(huán)境的不同方面產(chǎn)生共鳴的原子實現(xiàn)在用激光束讀取數(shù)據(jù)時不會耗電、敏感度可達原子級的傳感器。

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