Numonyx計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)向海力士與茂德轉(zhuǎn)移

時(shí)間：2008-04-14 10:35:34

關(guān)鍵字： DRAM 海力士 NI 內(nèi)存

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[導(dǎo)讀]日前，瑞士Numonyx BV表示計(jì)劃把DRAM生產(chǎn)從現(xiàn)有供應(yīng)商轉(zhuǎn)移給海力士(Hynix Semiconductor)公司和茂德(ProMOS Technologies Inc.)。該行動(dòng)是公司策略的一部分，將多技術(shù)多層內(nèi)存子系統(tǒng)打入嵌入式設(shè)備和無線手機(jī)領(lǐng)域。

日前，瑞士Numonyx BV表示計(jì)劃把DRAM生產(chǎn)從現(xiàn)有供應(yīng)商轉(zhuǎn)移給海力士(Hynix Semiconductor)公司和茂德(ProMOS Technologies Inc.)。該行動(dòng)是公司策略的一部分，將多技術(shù)多層內(nèi)存子系統(tǒng)打入嵌入式設(shè)備和無線手機(jī)領(lǐng)域。

Numonyx首席技術(shù)官Ed Doller表示，對于任何進(jìn)入嵌入式閃存市場的供應(yīng)商來說，具備增加各類RAM的能力至關(guān)重要，可以通過內(nèi)存晶圓代工廠商或者與一家主要DRAM公司建立合作關(guān)系。

一直以來，DRAM和閃存制造商之間都在搶奪主要的手機(jī)廠商客戶，通常當(dāng)IDM能制造兩種內(nèi)存類型時(shí)可以獲得優(yōu)勢。Doller表示，“RAM存儲(chǔ)策略非常需要，經(jīng)常的選擇來自NOR-RAM堆棧和NAND-RAM堆棧。競爭的唯一方式是在市場價(jià)格之下獲得RAM?！?

Doller補(bǔ)充，Numonyx與Hynix在中國無錫建有合資企業(yè)，同時(shí)生產(chǎn)DRAM和NAND閃存。

Doller說，Numonyx也繼承其母公司意法半導(dǎo)體的獨(dú)家DRAM設(shè)計(jì)?！耙夥ㄔO(shè)計(jì)低密度pseudo-static RAM和同步DRAM。我們將采用茂德代工制造?！彼a(bǔ)充到，“我們計(jì)劃把RAM遷移到Hynix和茂德?！钡荄oller拒絕披露生產(chǎn)將轉(zhuǎn)移到何處。