Angstrom Aerospace選擇飛思卡爾4Mbit MRAM器件

    磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)產(chǎn)品提供商飛思卡爾(Freescale)半導(dǎo)體公司為環(huán)境苛刻的應(yīng)用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使用飛思卡爾的溫度范圍更大的4Mbit，該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進(jìn)入太空。

    Angstrom Aerospace在其Tohoku-AAC MEMS Unit(TAMU)中使用飛思卡爾的MRAM，TAMU是被稱(chēng)為SpriteSat的日本研究衛(wèi)星的磁力計(jì)子系統(tǒng)。在開(kāi)發(fā)衛(wèi)星子系統(tǒng)的過(guò)程中，Angstrom Aerospace與瑞典皇家技術(shù)學(xué)院材料物理與應(yīng)用自旋電子的知名教授Johan Akerman博士通力合作。

    Johan Akerman博士說(shuō)，“飛思卡爾的4Mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛(wèi)星研發(fā)工作的不同階段重新配置關(guān)鍵程序和路線(xiàn)定義，這是一項(xiàng)很大的優(yōu)勢(shì)。

    TAMU計(jì)劃為SpriteSat提供地球磁場(chǎng)的磁強(qiáng)計(jì)數(shù)據(jù)。SpriteSat項(xiàng)目由Kazuya Yoshida教授領(lǐng)導(dǎo)，在位于日本仙臺(tái)的Tohoku大學(xué)興建。計(jì)劃于2008年底升空的SpriteSat的任務(wù)是監(jiān)視地球上層大氣中的“sprite”現(xiàn)象(閃電效應(yīng))。

    Angstrom Aerospace之所以選擇飛思卡爾的4Mbit MRAM器件，是因?yàn)樗狭吮姸鄡?yōu)點(diǎn)，如非易失性?xún)?nèi)存、擴(kuò)展的溫度操作、耐力持久以及長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)保留(即使在斷電的情況下)。MRAM能夠在一塊內(nèi)存上保存程序數(shù)據(jù)和FPGA配置數(shù)據(jù)，讓Angstrom Aerospace將所有存儲(chǔ)需求縮減到一個(gè)芯片上，從而降低了主板區(qū)域。同時(shí)，MRAM存儲(chǔ)的靈活性也使得系統(tǒng)能夠在太空中進(jìn)行重新配置。

    “MRAM溫度范圍的擴(kuò)大為惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)設(shè)計(jì)(如TAMU)提供了獨(dú)特的高溫和高可靠性，”飛思卡爾MRAM產(chǎn)品經(jīng)理David Bondurant表示，“MRAM的優(yōu)勢(shì)還延伸到運(yùn)輸和工業(yè)市場(chǎng)，在這一領(lǐng)域，飛思卡爾正在與那些需要大量快速且經(jīng)濟(jì)高效的內(nèi)存的開(kāi)發(fā)人員合作，這些內(nèi)存是非常理想的非易失性?xún)?nèi)存，可進(jìn)行大量讀寫(xiě)循環(huán)。”